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题名蓝宝石晶片粗磨工艺的研究
被引量:4
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作者
董云娜
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机构
天津西美半导体材料有限公司
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出处
《金刚石与磨料磨具工程》
CAS
2017年第3期88-90,共3页
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文摘
采用碳化硼(粒度尺寸61μm)作为磨料配制的研磨液对蓝宝石表面进行粗磨,并研究其工艺。通过单因素实验,选用不同悬浮液、不同研磨压力、不同质量分数碳化硼进行实验。结果表明:当碳化硼磨料质量分数为20%,悬浮液为CM–F系列,研磨液流量250mL/min,研磨盘转速80r/min,研磨时间30min,研磨压力2.8×10~4 Pa时,研磨效果好,材料去除率可达2.47μm/min,表面无肉眼可见划痕,在OLYMPUS–MX50下观察,晶片表面无明显划伤。
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关键词
悬浮液
碳化硼
蓝宝石晶片
材料去除率
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Keywords
suspension
boron carbide
sapphire wafer
material removal rate
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分类号
TG58
[金属学及工艺—金属切削加工及机床]
TG74
[金属学及工艺—刀具与模具]
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