硒化锌晶片抛光的研究

采用化学机械抛光(CMP)的方法,使用自主研发的氧化铝抛光液作为研磨介质,通过对硒化锌(ZnSe)晶片进行抛光实验,得出了氧化铝磨粒的粒度尺寸、抛光液的pH值、氧化剂种类及质量分数对ZnSe晶片表面状态和去除率的影响。实验结果表明:氧化铝抛光液适宜ZnSe晶片的抛光,采用质量分数15%的氧化铝抛光液(氧化铝粒度尺寸200nm),加入质量分数3%的次氯酸钠浸泡24h,抛光液的pH值为8,试验结果较佳,此时去除率可达2μm/min,晶片表面平整无划痕,表面质量较理想。

蓝宝石晶片研磨工艺的研究

利用碳化硼W5对蓝宝石研磨实验进行研究,得出不同磨料浓度、不同悬浮液黏度和加工压力对表面状态、粗糙程度和工件去除率的影响。结果表明,碳化硼W5比较适宜研磨,用此磨料在浓度为15%,悬浮液黏度为0.15%(黏度通过控制羧甲基纤维素的衍生物的含量控制),研磨压力为4 N/cm2时效果较佳,去除率可达0.63μm/min,表面无划痕,粗糙度较理想。