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低维InP材料的表征和生长机理研究
1
作者
牛艳萍
马淑芳
+6 位作者
董浩琰
阳智
郝晓东
韩斌
吴胜利
董海亮
许并社
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期779-793,共15页
磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ半导体材料,由于其独特的光学和电学特性,近年来备受关注。大量的研究表明,它在光电子、催化、医学等领域具有潜在的应用前景。但目前在低维InP纳米材料的可控制备和大规模合成研究中还存在一些问题有待解决...
磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ半导体材料,由于其独特的光学和电学特性,近年来备受关注。大量的研究表明,它在光电子、催化、医学等领域具有潜在的应用前景。但目前在低维InP纳米材料的可控制备和大规模合成研究中还存在一些问题有待解决。针对上述问题,采用化学气相沉积法(CVD)在Si/SiO_(2)衬底上成功地制备了大量高质量的InP纳米线,并用原位生长法在多晶InP衬底上生长了大量的InP纳米柱。利用扫描电子显微镜(SEM)观察所制备的纳米材料的形貌,纳米线表面光滑,直径在30~65 nm之间,纳米线组成的薄膜厚度约为35μm;纳米柱直径分布为550~850 nm,纳米柱组成的薄膜厚度约为12μm。利用能量色散谱(EDS)和X射线光电子能谱(XPS)分析了所制备的纳米材料的成分为InP。用拉曼光谱法测定了纳米材料的化学结构,并做了进一步的分析。透射电子显微镜(TEM)用于观察纳米材料的微观结构。研究发现,本研究制备的纳米线具有很高的结晶度,沿着[111]方向生长。使用选区电子衍射(SAED)分析纳米线晶体特性时发现了清晰的衍射点,表明其为单晶结构。使用光致发光光谱仪(PL)分析其发光特性,并进一步分析。最后,我们讨论了纳米线和纳米柱的形成机制,纳米线的生长遵循气-液-固(VLS)机制,纳米柱的生长遵循固-液-固(SLS)机制。这些研究为控制InP纳米材料的制备和大规模生产提供了更多可能性。
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关键词
磷化铟
纳米线
纳米柱
材料特性
生长机制
下载PDF
职称材料
题名
低维InP材料的表征和生长机理研究
1
作者
牛艳萍
马淑芳
董浩琰
阳智
郝晓东
韩斌
吴胜利
董海亮
许并社
机构
陕西科技
大学
西安市化合物半导体
材料
与器件
重点
实验室
西安交通
大学
第一附属医院肝胆外科
太原理工大学教育部先进材料界面科学与工程重点实验室
山西浙大新
材料
与化工研究院
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第5期779-793,共15页
基金
国家自然科学基金(21972103)
山西浙大新材料与化工研究院(2022SX-TD018,2021SX-AT007)。
文摘
磷化铟作为一种重要的Ⅲ-Ⅴ半导体材料,由于其独特的光学和电学特性,近年来备受关注。大量的研究表明,它在光电子、催化、医学等领域具有潜在的应用前景。但目前在低维InP纳米材料的可控制备和大规模合成研究中还存在一些问题有待解决。针对上述问题,采用化学气相沉积法(CVD)在Si/SiO_(2)衬底上成功地制备了大量高质量的InP纳米线,并用原位生长法在多晶InP衬底上生长了大量的InP纳米柱。利用扫描电子显微镜(SEM)观察所制备的纳米材料的形貌,纳米线表面光滑,直径在30~65 nm之间,纳米线组成的薄膜厚度约为35μm;纳米柱直径分布为550~850 nm,纳米柱组成的薄膜厚度约为12μm。利用能量色散谱(EDS)和X射线光电子能谱(XPS)分析了所制备的纳米材料的成分为InP。用拉曼光谱法测定了纳米材料的化学结构,并做了进一步的分析。透射电子显微镜(TEM)用于观察纳米材料的微观结构。研究发现,本研究制备的纳米线具有很高的结晶度,沿着[111]方向生长。使用选区电子衍射(SAED)分析纳米线晶体特性时发现了清晰的衍射点,表明其为单晶结构。使用光致发光光谱仪(PL)分析其发光特性,并进一步分析。最后,我们讨论了纳米线和纳米柱的形成机制,纳米线的生长遵循气-液-固(VLS)机制,纳米柱的生长遵循固-液-固(SLS)机制。这些研究为控制InP纳米材料的制备和大规模生产提供了更多可能性。
关键词
磷化铟
纳米线
纳米柱
材料特性
生长机制
Keywords
InP
nanowires
nanopillars
characterization
growth mechanism
分类号
O482.31 [理学—固体物理]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
低维InP材料的表征和生长机理研究
牛艳萍
马淑芳
董浩琰
阳智
郝晓东
韩斌
吴胜利
董海亮
许并社
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024
0
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
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