CVD法制备不同碳材料产物的FESEM研究

以甲苯、乙炔为碳源,采用CVD法制备碳微球。该工艺方法简单、容易操作,所选碳源洁净无杂质,使得合成的碳微球不含其它杂质,对制备高性能碳微球的工艺参数进行了探索。所得产物分别进行了FESEM分析,结果发现有大量形貌较好的碳微球生成。

RbVO3的光谱分析及能带结构研究

采用杂化前驱体的湿化学合成法制备了偏钒酸铷(RbVO3)发光材料。利用粉末X射线衍射(XRD)、红外光谱仪(IR)等对RbVO3的结构进行了表征,利用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱、光致发光光谱等研究了该发光材料的光致发光性能,并采用基于密度泛函理论的CASTEP程序计算了RbVO3的能带。结果表明,在357 nm紫外光的激发下,RbVO3产生发光峰在525 nm附近、色坐标为(0.318 0,0.430 9)的绿白光发射,发光亮度高;RbVO3计算的光学带隙为2.67 eV,与实验值较为吻合。

高质量氮化镓纳米线的结构表征

本文采用CVD法,以甩涂在衬底硅片上的Ga2O3薄膜和NH3作为原料,成功制备出大量GaN纳米线。采用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)、能量色散谱仪(EDS)和高分辨透射电镜(HRTEM)对样品进行了成分和结构分析,并简单讨论了其生长机理。结果表明:产物为平直光滑的GaN纳米线,其直径为30nm^50nm,长度可达几十微米,纳米线为高质量的六方纤锌矿GaN晶体。