1～18 GHz辐射骚扰测试场地的场地电压驻波比验证方法

CISPR在2007年之前仅对1GHz以下的频段的辐射骚扰测试进行了规定,而目前完整的CISPR标准规定了1GHz以上的测试方法,并对测试场地提出了相应的要求。提出了一种用于验证测试场地的新方法(场地电压驻波比法)。CISPR标准对用于场地验证的宽带全向天线有严格的要求,奥地利研究中心(ARC)开发出了一种具有较高精度的此类天线(已申请专利)。

放电等离子烧结和快速热压工艺制备具有低或负热 膨胀系数钨酸锆块体(英文)

采用快速热压工艺(放电等离子烧结和感应加热热压),利用ZrW2O5粉料制备了负热膨胀系数(coefficient of thermal expansion,CTE)钨酸锆(ZrW2O8)陶瓷体材料。这两种工艺可在烧结过程中保留负CTE材料钨酸锆所需的结构和相组成。结果表明:改变工艺参数,如热压温度和保温时间,可以调节 ZrW2O8陶瓷的CTE从-9 × 10-6/K到+9× 10-6/K变化。首次采用ZrW2O8作为填料与轻金属钛复合制备了零膨胀复合材料。