硅单晶圆片中V-O2对演变的相场仿真模型

为了开展低温退火过程硅单晶圆片中V-O2对演变的仿真研究,基于相场理论创建了仿真模型,首次完成了介观的V-O2对存在状态及其数量演变的模拟.结果表明:随着退火时间延长,V-O2对数量增加直至饱和且点缺陷相对浓度分布由非平衡态转变为平衡态;这两个演变规律符合实际且产生机理清晰,证实了该模型的合理性及其使用价值.

初始空位浓度对硅晶圆中V-O2对演变影响的仿真

为了揭示初始空位浓度对低温退火的硅晶圆内V-O2对演变的影响,基于所建相场模型及其应用程序,对随机均匀分布的3个初始空位浓度条件下硅晶圆内V-O2对演变进行了模拟研究.结果表明:随着初始空位浓度平均值的减小,V-O2对数量相应减少且变化速率减慢,这与相应的空位浓度演变及其均匀化过程有关;初始空位浓度平均值过低时,V-O2对不能产生.