无色透明聚酰亚胺-二氧化硅纳米复合薄膜的制备与性能

采用1S,2R,4S,5R-氢化均苯四甲酸二酐(H-PMDA)与含氟芳香族二胺2,2′-双(三氟甲基)联苯二胺(TFMB)通过一步高温溶液缩聚法制备了TFCPI半脂环族聚酰亚胺树脂及相应的无色透明聚酰亚胺薄膜TFCPI-0。采用TFCPI树脂基体,通过机械共混法与胶体纳米二氧化硅(SiO_(2))/N,N-二甲基乙酰胺(DMAC)分散液进行复合,制备了一系列不同SiO_(2)含量的无色透明聚酰亚胺复合薄膜。结果表明:当纳米SiO_(2)在复合薄膜中的质量分数为25%时,制备的TFCPI-25复合薄膜在450 nm波长处的透光率(T_(450))与黄度指数(b^(*))分别为87.8%与1.56,较TFCPI-0薄膜仅略有下降(T_(450)=88.5%,b^(*)=0.91)。TFCPI-25复合薄膜在氮气中的5%失重温度(T_(5%))和玻璃化转变温度(Tg)与TFCPI-0薄膜处于同一水平。但TFCPI-25复合薄膜在50℃时的储能模量(E′)以及50~250℃范围内的线性热膨胀系数(CTE)分别为4.86GPa与30.9×10^(-6)K^(-1),显著优于TFCPI-0薄膜(E′=3.02 GPa,CTE=39.6×10^(-6)K^(-1))。

聚酰亚胺薄膜在摩擦纳米发电机中的研究与应用进展

综述了近年来国内外聚酰亚胺(PI)薄膜在摩擦纳米发电机(TENG)领域中的研究与应用进展情况。从TENG的工作原理、TENG对摩擦电材料的性能需求以及PI薄膜在摩擦纳米发电机中的应用等角度进行了论述。着重介绍了TENG用PI材料的结构改性方法,包括分子结构改性、多孔结构改性、静电纺丝改性、复合改性以及电荷存储层植入改性等的研究进展。最后对PI薄膜应用于TENG的未来发展趋势进行了展望。

基于氢化均酐的浅色PI模压片制备与性能

采用脂环二酐,1S,2R,4S,5R-氢化均苯四甲酸二酐(ccHPMDA,Ⅰ)或1R,2S,4S,5R-氢化均苯四甲酸二酐(ctHPMDA,Ⅱ)分别与芳香族二胺,1,3-双(3-胺基苯氧基)苯(133APB,a)或1,3-双(4-胺基苯氧基)苯(134APB,b)通过高温溶液缩聚法制备了4种半脂环结构聚酰亚胺(PI)树脂PI-Ⅰa,PI-Ⅰb,PI-Ⅱa以及PI-Ⅱb。结果表明,半脂环结构赋予了这类PI材料良好的热塑性与热熔加工特性。采用上述PI树脂通过模压工艺成功制备了4种厚度约为3 mm的PI模压片。该系列模压片在760 nm波长处的透光率最高可达51.7%,显著优于现有商业化热塑性PI(TPI)模压片。此外,该系列PI模压片表现出了良好的耐热稳定性,玻璃化转变温度均大于200℃,在氮气中的5%失重温度(T_(5%))大于490℃。力学性能测试结果显示,该系列PI模压片具有良好的拉伸、弯曲、压缩性能。PI-Ⅱb模压片的弯曲强度与弯曲弹性模量分别为(181.8±3.9)MPa和(4.08±0.07)GPa;压缩强度与压缩弹性模量分别为(154.0±2.9)MPa和(1.64±0.35)GPa;拉伸强度与断裂伸长率分别为(138.5±0.6)MPa与(17.4±1.2)%。