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全MOS运放的摆率SR与建立时间T_(set)的模拟及其宏模型的建立
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作者 陈秀中 苏文钧 《天津大学学报》 EI CAS CSCD 1990年第1期33-43,共11页
主要讨论了全MOS运放的摆率SR和建立时间的模拟方法,并建立了一个全MOS运放宏模型,给出了计算该模型参数的全部公式。该模型能对运放的重要特性进行比较全面的模拟,且模拟精度比较高,它可直接使用SPICE通用分析程序进行直流、交流和瞬... 主要讨论了全MOS运放的摆率SR和建立时间的模拟方法,并建立了一个全MOS运放宏模型,给出了计算该模型参数的全部公式。该模型能对运放的重要特性进行比较全面的模拟,且模拟精度比较高,它可直接使用SPICE通用分析程序进行直流、交流和瞬态分析。 展开更多
关键词 MOS 运放 宏模型 摆率 集成电路
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