壳层厚度调控对AgIn_(x)Ga_(1-x)S_(2)/AgGaS_(2)量子点发光性能的影响

采用多次交替注入壳层前驱体工艺,成功制备了具有不同壳层厚度的环保型AgIn_(x)Ga_(1-x)S(2)/AgGaS_(2)(AIGS/AGS)量子点。利用透射电子显微镜和X射线衍射技术对量子点的形貌及晶体结构进行了详细的表征,通过吸收光谱和光致发光光谱系统地分析了AGS壳层厚度对AIGS/AGS量子点发光性能的影响。实验结果表明,适当增加AGS壳层可以有效增强量子点的带边发射,抑制其缺陷发射,并显著提高其发光稳定性。经优化,具有最佳壳层厚度(5层)的AIGS/AGS量子点呈现出532 nm的纯正绿色发光和33 nm的半高全宽(FWHM),光致发光效率(PLQY)达到45%。将其应用于量子点发光二极管(QLED)的制备,所得器件的最大亮度可达1518 cd/m^(2),外量子效率(EQE)为0.26%,显示出良好的应用潜力。