单晶硅太阳电池扩散薄层电阻和SiN_X薄膜对电池短波响应的影响

分别对不同薄层电阻的扩散片制成的单晶硅太阳电池和同样薄层电阻不同频率沉积的SiN_X薄膜的单晶硅太阳电池的光谱响应进行了比较,从理论上分析了随着薄层电阻的增大和采用低频(40 kHz)的PECVD沉积SiN_X薄膜,短波响应得到提高的原因。光谱响应峰值随着薄层电阻的增大逐渐向短波方向移动。

多晶硅太阳电池的等离子体预处理研究

采用 H_2、NH_3和 H_2+NH_3等离子体在沉积氮化硅薄膜之前对多晶硅片进行预处理,采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)制备氮化硅薄膜,然后印刷烧结。利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)和紫外可见近红外分光光度计(UV-VIS)等手段研究了等离子体预处理对多晶硅少子寿命的影响以及等离子体预处理对氮化硅薄膜 FTIR 光谱的影响和多晶电池性能的影响。结果表明:经等离子体预处理后多晶硅的少子寿命有所提高,使用 H_2+NH_3混合等离子体预处理后,制备的多晶电池的性能有明显提高,短路电流能提高约7%。