ZnO压敏材料研究进展

氧化锌压敏电阻器具有优良的非线性伏安特性,在稳态工作电压下漏电流很小(能耗低).利用这些特性可制造各种电子器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、负载开关的浪涌吸收等电子保护装置.综述了ZnO压敏材料的导电机理、老化、非线性功能添加剂以及制备工艺等方面的研究进展,指出ZnO压敏电阻器的发展方向为片式叠层化、低压化以及对导电机理的深入研究.

烧结温度对TiO_2压敏陶瓷非线性和介电性质的影响(英文)

基于一次烧结工艺，通过改变烧结温度，制备5种组分相同、（Sr，Bi，Si，Ta）掺杂的TiO2陶瓷试样。借助于伏安特性、介电频率特性、损耗频率特性及非线性系数的测定，研究烧结温度对TiO2基压敏陶瓷压敏和介电性质的影响。结果表明，在1200-1400℃范围内，随着烧结温度的降低，陶瓷的压敏电压降低、介电常数增大，同时非线性系数有所减小。兼顾陶瓷压敏和介电特性，烧结温度选择1350℃为宜。

Bi系铜氧化物射频介电性质的研究

测量了不同离子掺杂Bi2Sr2CaCu2Oy多晶样品的射频介电常数,发现样品的介电常数存在明显差别,分析认为这是由于离子掺杂改变了材料中的载流子浓度,导致材料的空间电荷极化差异所引起的。基于这种机制,成功解释了不掺杂样品在1700MHz附近的弛豫现象和不同样品损耗性质的差异。

镨掺杂Bi_2Sr_3Co_2O_(9+δ)电子结构的XPS研究

研究了Pr掺杂Bi2Sr3Co2O9+δ体系的X射线光电子能谱,发现随着体系中Pr掺杂量的增大,内层电子结合能有缓慢增大的趋势,但掺杂量达到0.6时,测得的电子结合能减少0.4 eV左右,与分析材料中费米能级变化引起的结合能变化趋势相反。考虑到掺杂量达到0.6时,材料发生金属-绝缘体转变,所得到的表观结合能减少可能是绝缘体样品相对于样品底座存在正的电势差所引起的。