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产品数据管理中的产品结构树的设计方法 被引量:2
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作者 李炜 《安庆师范学院学报(自然科学版)》 2001年第3期4-6,共3页
产品数据管理 (PDM)技术由于具有帮助企业管理与控制企业数据并缩短产品上市时间的强大功能而受到国外大中型制造企业的广泛重视和应用。针对传统的线形模式组织数据 ,提出以产品结构为核心的产品结构树方法组织数据以及实现的方法。
关键词 产品数据管理 PDM 产品结构 产品结构树
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高k+SiO_2栅FD-SOI MOSFET阈值电压和DIBL效应的分析及建模
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作者 万璐绪 杨建国 +3 位作者 柯导明 吴笛 杨菲 陈甜 《中国科学:信息科学》 CSCD 北大核心 2019年第3期342-360,共19页
文章提出了高k+SiO_2栅FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator) MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL (drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-... 文章提出了高k+SiO_2栅FD-SOI (fully depleted silicon-on-insulator) MOSFET,开发了它的二维亚阈值区前栅表面电势、阈值电压和DIBL (drain induced barrier lowing)效应计算模型.本文根据器件的结构和不同的介电常数,将亚阈值区的FD-SOI MOSFET分成若干个不同的矩形等效源,构建了这个多角形区域的Poisson方程和Laplace方程的二维边界值问题,然后用分离变量法和特征函数展开法求出了模型的二维解.计算结果表明,高k+SiO_2栅能有效地抑制高k介电常数产生的FD-SOI MOSFET阈值电压退化, DIBL效应加重,以及FIBL效应.由于这个模型列出的是线性代数方程组,它的计算开销小,因此这个半解析模型既可以用于FD-SOI MOSFET的模拟和仿真,又可用做电路模拟器的器件模型. 展开更多
关键词 高k+SiO2栅 FD-SOI MOSFET 阈值电压 DIBL效应 二维模型
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