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题名氧化镓肖特基二极管自热效应的仿真研究
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作者
汪海波
蒋先伟
曹孙根
汪承龙
张泽宇
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机构
合肥师范学院电子信息与电气工程学院
安徽省基于新型半导体材料的专用功率器件工程研究中心
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出处
《合肥师范学院学报》
2022年第6期1-7,共7页
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基金
安徽省高等学校自然科学研究项目“集成驱动模块的高压超结功率MOSFET研制”(2022A052135)
安徽省高等学校优秀人才支持计划资助项目“基于密度泛函理论的电荷俘获存储器性能提升的研究”(gxyq2020042)
安徽省高等学校优秀人才支持计划资助项目“半桥拓扑的直流增强型GaN高频开关电源系统研究”(gxyq2021206)。
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文摘
氧化镓材料因具有卓越的特性而逐渐受到人们的关注,由其制备的肖特基二极管具有广阔的应用前景,然而材料本身热导率低,纵向结构器件受自热效应影响较大。通过仿真,对纵向肖特基二极管自热特性的正向、反向和瞬态信号传输的影响进行了研究。结果显示,二极管正向电压超过一定值时,正向电流受自热影响趋向饱和;反向特性在击穿之前没有自热效应;器件N型外延层的结构也会影响温度积累,数据表明当掺杂浓度和厚度超过特定值,自热效应会使I-V曲线恶化;当器件在开关状态工作时,温度积累使得电压较大、持续时间较长的脉冲信号完整性变差。
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关键词
氧化镓
肖特基二极管
热电子
功函数
自热效应
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Keywords
gallium oxide
Schottky diode
hot electron
work function
self-heating
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分类号
O472
[理学—半导体物理]
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