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运动图像的锯齿消除算法研究 被引量:2
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作者 强俊 周鸣争 汪军 《电视技术》 北大核心 2012年第15期32-35,共4页
针对隔行扫描到逐行扫描转换中出现的运动图像锯齿现象,提出适用于去锯齿的运动检测和基于角度提取的场内插值算法。利用相邻4场运动差值进行运动检测,并结合待插像素相邻行和隔行相关像素点的夹角进行加权平均,提取相关度大的角度点进... 针对隔行扫描到逐行扫描转换中出现的运动图像锯齿现象,提出适用于去锯齿的运动检测和基于角度提取的场内插值算法。利用相邻4场运动差值进行运动检测,并结合待插像素相邻行和隔行相关像素点的夹角进行加权平均,提取相关度大的角度点进行场内插值。实验结果表明,算法有效提高了峰值性噪比,也有效降低了均方差,实际图像去锯齿效果良好。 展开更多
关键词 运动图像 去锯齿 运动检测 角度提取 场内插值
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C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究
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作者 黄玲玲 陈幸福 +3 位作者 胡鹏 李博 王向华 胡俊涛 《光电子技术》 CAS 北大核心 2020年第1期28-34,共7页
以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺... 以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。 展开更多
关键词 2 苯并噻吩并[3 2‐b]苯并噻吩 结晶形貌 结晶度 迁移率 有机薄膜晶体管
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