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碳化硅功率器件在电力电子中的应用
被引量:
2
1
作者
潘三博
黄军成
刘建民
《上海电机学院学报》
2013年第3期107-112,共6页
从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiC JFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiC JEFT功率开关器...
从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiC JFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiC JEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiC JFET器件。
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关键词
碳化硅
肖特基二极管
结型场效应功率晶体管
开关特性
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职称材料
题名
碳化硅功率器件在电力电子中的应用
被引量:
2
1
作者
潘三博
黄军成
刘建民
机构
上海电机学院电气学院
安阳市高新区生产力促进中心
出处
《上海电机学院学报》
2013年第3期107-112,共6页
基金
国家自然科学基金项目资助(U1204515)
国家科技支撑计划项目资助(2012BAH32F06)
+1 种基金
上海电机学院重点培育项目资助(12C107)
上海电机学院科研启动经费项目资助(13C404)
文摘
从碳化硅(SiC)功率半导体器件的等效电路入手,分别讨论了碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)与碳化硅结型场效应功率晶体管(SiC JFET)的稳态与暂态特性。分析并解决了碳化硅器件开通电压与驱动电压不匹配的问题,设计了一种SiC JEFT功率开关器件的驱动电路。实验结果表明,SiC新器件具有良好的开关特性,驱动电路可以有效驱动SiC JFET器件。
关键词
碳化硅
肖特基二极管
结型场效应功率晶体管
开关特性
Keywords
silicon carbide
bchottky barrier diode(SBD)
junction {ield effect power tran-sistor(JFET)
switching characteristics
分类号
TN386.6 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
碳化硅功率器件在电力电子中的应用
潘三博
黄军成
刘建民
《上海电机学院学报》
2013
2
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