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题名高压台面功率晶体管的工艺分析
被引量:2
- 1
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作者
孔德平
周荣勋
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机构
东南大学电子工程系
宜兴市半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第6期42-44,共3页
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文摘
本文给出了高压台面功率晶体管工艺分析,不仅为器件的工艺设计提供了依据,而且明确地指出了影响器件制造成品率的主要因素。
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关键词
台面
功率晶体管
工艺
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分类号
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
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题名高灵敏触发晶闸管的设计和制造
被引量:1
- 2
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作者
孔德平
王锡祺
潘余健
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机构
东南大学电子工程系
江苏省宜兴市半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期30-31,共2页
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文摘
本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。
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关键词
触发晶闸管
设计
制造
闸管
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分类号
TN34
[电子电信—物理电子学]
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题名结构改进的高压VDMOS功率晶体管
- 3
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作者
孔德平
张本袁
王锡祺
潘余健
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机构
东南大学电子系
宜兴市半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第4期22-24,共3页
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文摘
本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。
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关键词
功率晶体管
晶体管
VOMOS
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分类号
TN323.4
[电子电信—物理电子学]
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题名设计GTR的基本考虑
- 4
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作者
孔德平
董伯洪
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机构
东南大学电子工程系
宜兴市半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第4期24-26,共3页
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文摘
本文给出了GTR的性能分析和基本的设计考虑,为器件的设计和制造提供正确的原则和方法。
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关键词
巨型
晶体管
设计
性能
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分类号
TN320.2
[电子电信—物理电子学]
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题名高压功率整流管的性能分析
- 5
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作者
孔德平
张本来
王锡祺
朱平
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机构
江苏宜兴市半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1991年第2期51-52,54,共3页
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文摘
本文给出了高压功率整流管的性能分析,提供了解决功率整流管设计制造和应用要求所相互制约的途径。
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关键词
功率整流管
整流管
设计
制造
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分类号
TN35
[电子电信—物理电子学]
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