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高压台面功率晶体管的工艺分析 被引量:2
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作者 孔德平 周荣勋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第6期42-44,共3页
本文给出了高压台面功率晶体管工艺分析,不仅为器件的工艺设计提供了依据,而且明确地指出了影响器件制造成品率的主要因素。
关键词 台面 功率晶体管 工艺
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高灵敏触发晶闸管的设计和制造 被引量:1
2
作者 孔德平 王锡祺 潘余健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期30-31,共2页
本文介绍一种高灵敏触发晶闸管,其通态电流为5A、正反向转折电压大于400V、门极触发电流小于200μA。
关键词 触发晶闸管 设计 制造 闸管
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结构改进的高压VDMOS功率晶体管
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作者 孔德平 张本袁 +1 位作者 王锡祺 潘余健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第4期22-24,共3页
本文给出高压VDMOS功率晶体管的一种新颖结构,可以明显地减小器件的导通电阻和保持较高的开关速度。
关键词 功率晶体管 晶体管 VOMOS
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设计GTR的基本考虑
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作者 孔德平 董伯洪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第4期24-26,共3页
本文给出了GTR的性能分析和基本的设计考虑,为器件的设计和制造提供正确的原则和方法。
关键词 巨型 晶体管 设计 性能
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高压功率整流管的性能分析
5
作者 孔德平 张本来 +1 位作者 王锡祺 朱平 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期51-52,54,共3页
本文给出了高压功率整流管的性能分析,提供了解决功率整流管设计制造和应用要求所相互制约的途径。
关键词 功率整流管 整流管 设计 制造
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