MBE脱氧条件与InGaAs/InP APD性能的相关性

InP基InGaAs/InP雪崩光电二极管(APD)对近红外光具有高敏感度,使其成为微弱信号和单光子探测的理想光电器件。然而随着先进器件结构越来越复杂,厚度尺寸从量子点到几微米不等,性能越来越受材料中晶格缺陷的影响和工艺条件的制约。采用固态源分子束外延(MBE)技术分别在As和P气氛保护下对InP衬底进行脱氧处理并外延生长晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜和APD结构材料。实验结果表明,As脱氧在MBE材料质量方面比P脱氧具有明显的优势,可获得陡直明锐的异质结界面,降低载流子浓度,提高霍尔迁移率,延长少子寿命,并抑制器件中点缺陷或杂质缺陷引起的暗电流。因此,As脱氧可以有效提高MBE材料的质量,这项工作优化了InP衬底InGaAs/InP外延生长参数和器件制造条件。

n型重掺杂GaAs中的空穴散射理论和实验研究

本文研究了 n 型重掺杂 GaAs 中的光生空穴的超快弛豫过程,首次比较详细地在 k 空间对空穴-空穴散射速率进行了尽可能多的解析计算,从而可以看到空穴-空穴散射率与有效质量、掺杂浓度、激发浓度以及激发能量的比较定量的关系,其结果表明散射速率随掺杂浓度的增加而减小,随激发浓度的增加而增加。另外,我们在 k 空间也推导了空穴与极性以及与非极性光学声子散射的散射率公式。在实验上,我们测试了在费米能级附近 n 型重掺杂 GaAs 中的光生空穴的弛豫过程,并因此而估算出光学形变势常数 d0约为31eV。

LT-GaAs缺陷态对载流子的捕获特性

采用宽频带飞秒脉冲泵浦 -探测方法测量了LT_GaAs中不同能态的光生载流子的超快捕获特性 ,发现随着载流子的过超能量增大 ,载流子的散射速率加快 ,而缺陷态对载流子的捕获速率 ,则与光生载流子的过超能量无关 ,表明LT_GaAs缺陷态捕获电子主要为点缺陷深能级多声子无辐射捕获过程。

单模光纤熔锥型OWDM耦合率的计算

对生产单模光纤熔锥型光波分复用器 (OWDM)的关键技术———耦合率与耦合段 (相互作用 )长度及耦合率与熔拉后颈锥截面宽度的关系等作了计算分析 ,为提高生产效率提供了科学依据 .

FROG方法诊断飞秒脉冲的振幅与相位

详细讨论了一种基于二次谐波一频谱分辨光闸法 (简称SHG_FROG方法 )的矩阵迭代算法 ,实现了对飞秒脉冲的振幅和相位的诊断 ,得出其脉冲形状为双曲正割型、相位是时间的三次幂形式。

8 羟基喹啉铝及其高分子膜的瞬态荧光研究

对有机发光材料８羟基喹啉铝（Ａｌｑ３） 及其高分子复合物薄膜的瞬态荧光特性和跃迁机理进行了研究， 发现复合物薄膜的荧光寿命比Ａｌｑ３ 样品的寿命明显缩短， 认为荧光的产生和对激发光的吸收主要由８羟基喹啉基团引起．

n型掺杂GaAs中电子与空穴的超快弛豫特性

研究了n型重掺杂GaAs中的光生电子与空穴的超快弛豫特性.在n型重掺杂情况下,由于费米面已进入导带之中,抑制了费米面附近光激发电子的弛豫过程对泵浦探测信号的贡献,而突出了空穴弛豫在饱和吸收谱中的地位.理论计算表明空穴通过吸收光声子在～300fs时间内达到与晶格热平衡,并由此所导出的材料光学形变势常数d0=31eV.计算值与实验测量结果相符合.

SOL-GEL法制备BA_(1-X)SR_XTIO_3薄膜的光学性质研究

采用Sol—Gel工艺，在Si（100）衬底上制备了Ba1-xSrxTiO3（0．1≤x≤0．3）多晶薄膜，并用椭偏光谱仪在光子能量为2．0—5．2eV的范围内，测量了不同Sr含量x下Ba1-xSrxTiO3多晶薄膜的椭偏光谱。建立适当的拟合模型，用最优化法获得了所有样品的光学常数（折射率n和消光系数k）谱及能隙宽度Eg。比较这些结果发现：在低能区，Ba1-xSrxTiO3薄膜的折射率n随Sr含量x的增加无明显变化，但其吸收边向高能方向移动。表明Ba离子被Sr离子取代后，Ba1-xSrxTiO3薄膜的能隙宽度Eg增大。

圆偏振光的产生、测量与自旋偏振电子的光注入

理论上给出了线偏振光通过波片产生的椭圆偏振光的圆偏振度与方位角和相位延迟量的关系。结果表明,圆偏振度对方位角的变化更灵敏,在保持圆偏振度不变条件下,每提高方位角精度一度,则可降低相位延迟精度至少两度,这将改变人们重视相位延迟而轻视方位角精度的通常做法,降低1 4波片的加工难度和造价。还给出了宽带光谱分布和波片相位延迟色散对圆偏振度影响的解析解。发展了一种圆偏振度和波片相位延迟实验测量的简单方法。利用这种方法实验测试了Newport公司生产的1 4波片的相位延迟。

飞秒激光脉冲的测量与诊断

报道一种高精度的测量短飞秒激光脉冲宽度的装置和方法．它是通过计算机精确控制压电陶瓷（ＰＩＺ）的伸缩，扫描得到飞秒激光脉冲强度的共线相干自相关曲线，以此分析得到超短激光脉冲特性和宽度的方法．它亦可以用于飞秒激光光谱实验研究．

一种多用途的光电自动微调器

本文介绍一种多用途光电自动微调器 ,它是由单片微机控制的具有自动反馈功能的光电子器件 。

用CCD测量汞干涉条纹(谱线)的宽度

介绍了运用鲁末—盖格板及棱镜光谱仪得到某一波长谱线的干涉条纹 ,用CCD拍摄和计算机处理 ,能快捷地得到该谱线宽度的方法。

乙、丙苯的ν_(12)环振动的皮秒时间分辨CARS研究

在室温下，使用皮秒时间分辨ＣＡＲＳ测量了乙、丙苯的ν１２环振动模的退相动力学．观察到了正 丙苯的两种构像的ν１２模的不同退相行为 乙苯和异丙苯的ν１２模的退相服从单指数衰减，而正丙苯的ν１２环 模的退相却是振荡衰减的．这种振荡衰减被归咎于正丙苯的ｔｒａｎｓ和ｇａｕｃｈｅ构像的ν１２环振动模之间的量子 拍．乙、丙苯的ν１２环振动模的退相时间常数被给出，并极大地受烷基链的构像、结构和长度的影响．

非掺杂GaN薄膜的黄光发射机理研究

提出了一种新的光谱———吸收归一化光致发光激发谱 ,并用这种光谱研究了非掺杂GaN薄膜的黄光发射。实验上首次直接测出了黄光发射的初始态的共振吸收峰位 。

用光纤光栅获得理想DWDM光源的设计方法

根据Hill等的理论 ,提出用含光纤Bragg光栅的萨尼亚克环、光纤马赫—曾德尔干涉仪和普通的半导体激光器组成理想DWDM光源的设计方案。整个组件仅用光纤熔接工艺即可完成 ,因此具有制作方法简单、成本低等特点。

椭偏光谱法研究激光脉冲沉积MgO薄膜材料生长

用激光脉冲沉积技术生长、制备出了一系列不同真空度、不同衬底温度和不同激光脉冲能量的MgO薄膜.对生长、制备出的一系列MgO薄膜进行了椭偏光谱测量研究,在300～800nm光谱波长范围内,得到了不同条件下生长制备的MgO薄膜的光学常数谱和膜厚,其结果显示:真空度、衬底温度和激光脉冲能量对生长MgO薄膜的折射率、膜厚均有影响,高真空、高衬底温度和适中的激光脉冲能量有利于生长制备高折射率、高密度和高质量的MgO薄膜.

光学相干控制中光束相位畸变的诊断与优化

阐述了超短激光光束位相差对相干控制光电流注入的控制作用,发展了一种诊断光束波阵面位相畸变的方案。通过控制基频光、倍频光在全光孔径干涉光场内的等相面保持一致的实验处理方法,制作了一套相位差稳定自动控制系统,并应用于光学相干控制光电流实验中,获得较好的实时控制效果。模块化封装后的相位差稳定自动控制系统能使相干控制实验中控制激光脉冲的相位差在全光口径内保持一致。

Ag@SiO_(2)核壳纳米颗粒对Eu-PMMA薄膜的发光增强效应

为了提高稀土离子的发光性能,在稀土发光材料中引入了贵金属纳米颗粒。金属等离子体共振可以产生局域电场,作用于稀土离子的发光过程,能达到发光增强的效果。Ag@SiO_(2)核壳结构纳米颗粒可以有效控制金属Ag与稀土离子之间的距离,既能达到等离子体共振增强的效果,又可以避免与发光中心距离过近时产生非辐射能量传递导致的荧光淬灭。用滴铸法先将不同浓度的Ag@SiO_(2)纳米颗粒滴在石英片上,再将Eu(dbm)_(3)phen:PMMA:二氯甲烷混合溶液旋涂制备得到Eu-PMMA复合薄膜。对样品进行形貌表征和发光测量,发现Ag@SiO_(2)纳米颗粒的引入使薄膜的发光强度得到增强,测量的激发光谱的最大增强因子为2.50倍,发射光谱的最大增强因子为2.15倍。同时荧光寿命测量结果显示,含有Ag@SiO_(2)纳米颗粒的薄膜样品的发光寿命也得到延长。在稀土发光材料中引入Ag@SiO_(2)纳米颗粒展现了良好的发光增强效果,且实验方法可操作性强,具有良好的应用潜力。

飞秒激光器的进展:由19fs到15fs

飞秒激光器的进展：由１９ｆｓ到１５ｆｓ陈颖宇文锦辉林位株（中山大学超快速激光光谱国家重点实验室／物理学系，广州５１０２７５）关键词钛宝石激光器，自锁模，飞秒脉冲分类号Ｏ４３７．５自锁模钛宝石激光器自９０年代问世以来，由于其激光频谱范围宽、能够产生飞...

Te掺杂ZnSe/[(CdSe)_l(ZnSe)_3]_m超晶格荧光光谱

对垒区Ｔｅ掺杂浓度不同的ＺｎＳｅ／［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］ｍ短周期超晶格量子阱的稳态和瞬态荧光进行了实验研究，通过不同激发强度下逐级饱和过程测得ＺｎＳｅ垒区自由激子寿命为３５ｐｓ，［（ＣｄＳｅ）１（ＺｎＳｅ）３］７阱区自由激子寿命为１７７ｐｓ，束缚在不同ｎ值的Ｔｅｎ束缚激子的复合寿命为０．５～１０ｎｓ．揭示了Ｔｅ掺杂浓度对能量传递、荧光波长和荧光寿命的灵敏的影响及其规律．