碳化硅CMOS倒相器温度特性

建立了6H SiC材料和器件模型,应用二维器件仿真软件MEDICI对所设计的亚微米6H SiC CMOS倒相器的温度特性进行了研究.研究结果表明,该倒相器在600K的高温下仍可以正常工作,且具有良好的电压转移特性和瞬态特性;在300～600K的温度范围内,倒相器阈值电压由1.218V变化到1.274V,变化幅度较小.

一种6位超高速CMOS FLASH A/D转换器

介绍了一种超高速六位快闪式CMOS A/D转换器的设计。该转换器采用0.18?m CMOS工艺。本转换器的特点是采用了一种被称之为基于反相器的阈值电压的比较器(TIQ)阵列来替代传统Flash结构中的电阻分压网络部分。仿真结果显示,在1.6GSPS的速度和1.8V的工作电压下,其功耗仅为39.20mW。