FRAM存储“多、快、省”

近日，富士通半导体（上海）有限公司市场部经理蔡振宇介绍了FRAM （铁电存储器）产品在应用中的独特优势。拥有15年FRAM量产经验的富士通半导体，用“多、快、省”形象地概括出FRAM的特点。“多”指的是FRAM的高读写耐久性（1万亿次）的特点，可以频繁记录操作历史和系统状态；“快”指的是FRAM的高速烧写（是EEPROM的40000倍）特性，这可以帮助系统设计者解决突然断电数据丢失的问题；“省”是FRAM超低功耗（是EEPROM的1/1,000）特性，特别是写入时无需升压。