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GA系列砷化镓射频倍频芯片
1
作者
折晓慧
《国外电子元器件》
1996年第12期13-16,共4页
GA01/02/03是美国CONNORWINFIED公司生产的射频PLL倍频芯片,在低频晶振后接该芯片,可得到与低频晶振稳定度相同而成本很低的115~820MHz信号。本文介绍了该系列芯片的构成、外接环路滤波器的设...
GA01/02/03是美国CONNORWINFIED公司生产的射频PLL倍频芯片,在低频晶振后接该芯片,可得到与低频晶振稳定度相同而成本很低的115~820MHz信号。本文介绍了该系列芯片的构成、外接环路滤波器的设计方法。
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关键词
砷化镓
压控振荡器
射频
倍频芯片
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职称材料
题名
GA系列砷化镓射频倍频芯片
1
作者
折晓慧
机构
富雅高微电子有限公司西安办事处
出处
《国外电子元器件》
1996年第12期13-16,共4页
文摘
GA01/02/03是美国CONNORWINFIED公司生产的射频PLL倍频芯片,在低频晶振后接该芯片,可得到与低频晶振稳定度相同而成本很低的115~820MHz信号。本文介绍了该系列芯片的构成、外接环路滤波器的设计方法。
关键词
砷化镓
压控振荡器
射频
倍频芯片
分类号
TN752 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
GA系列砷化镓射频倍频芯片
折晓慧
《国外电子元器件》
1996
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