区熔单晶硅光晶体管瞬态特性的实验研究

现有光晶体管具有噪声较低、增益较高(光信号强度适中时)等优点;但它同时也存在线性较差、光信号较弱时增益较低等缺点,限制了它的实际应用。本文报道了一种基于高纯区熔单晶硅和发射结-集电结接近穿通状态的具有高灵敏度、高线性度光晶体管的瞬态特性研究结果,采用负载电阻法和互阻放大器法分别测量响应时间对偏置电压和入射光功率的依赖关系。测量结果显示,器件的上升及下降时间明显依赖于入射光功率的变化,对偏置电压的依赖性较弱;416nW和1128nW入射光功率下大尺寸器件的响应时间分别在170μs和10μs量级,在416nW入射光功率下小尺寸器件的上升时间约为30μs,与理论计算结果具有较好的符合。

辐射增敏药吉西他滨研究进展

近年来从化疗药中筛选辐射增敏药成为热点,新一代化疗药吉西他滨的辐射增敏作用研究初获成果。现就辐射增敏药的种类及应具备的条件、吉西他滨的作用及其增敏机制的研究作一综述。

无机溶液折射率与质量浓度关系的理论计算和实验验证

以一个计算折射率与组分的关系式n=1+∑(ρMDM)为计算原理,对AgNO3和KI溶液的折射行为作了研究,以考察这种方法的实用性.结果表明,折射率的计算值与实验值符合得很好,最大相对误差为:Δnc(AgNO3)=0.02%,Δnc(KI)=0.05%.此方法的结果精度高,应用方便,基于此原理的溶液质量浓度的折射率测量法有较好的应用前景.

乙酸乙酯-乙苯二元混合溶液的折射研究

计算混合溶液折射率的新方法:n=1+∑wiρMDMi,对于无机混合溶液、乙醇水溶液和丙三醇水溶液等有着很好的适用性,但对含有羰基和苯环官能团复杂物质是否适用还不清楚.本文对含有羰基和苯环官能团的、不同浓度乙酸乙酯-乙苯溶液折射率进行计算,计算结果与实验测量值吻合的非常好,进一步证实了该方法对酯类、芳香族溶液的适用性,并给出了该溶液浓度、密度和折射率计算所需的重要参数值.这些结果也支持了该方法的理论基础,证明了该方法的电子云导体理论模型的合理性.还用Lorentz-Lorenz公式计算了这些混合溶液的折射率,并对2种计算方法的偏差进行了比较.

铝合金表面等离子微弧氧化处理技术

微弧氧化技术可以在铝合金表面上原位生长20～200μm的陶瓷氧化膜,该膜显微硬度为800～1500HV,能大大地提高材料表面的耐磨、耐蚀、耐压绝缘和抗高温冲击特性,在纺织、机械等工业部门中具有广阔地应用前景。

离子注入对二氧化锡薄膜的改性作用

对溅射沉积制成的氧化锡薄膜进行了钨离子注入、氧离子注入和退火处理,并用X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)分析了薄膜,研究了注入对薄膜相变的影响。发现在室温下溅射沉积形成的非晶态SnO2薄膜,注入氧离子后导致了非晶态SnO2向晶态SnO2的转变;注入钨离子则导致了SnO在非晶态薄膜中的形成。而在已经注入了钨离子的薄膜中再注入氧离子可以形成Sn3O4。实验表明,注入钨离子可减少由氧和锡组成相的氧、锡比率,而注入氧离子则可增加这种比率。

100型MEVVA源注入机注入均匀性研究

提高金属蒸汽真空弧(Metal Vapor Vacuum Arc,MEVVA)离子源注入机的注入效率,大幅度降低注入成本是MEVVA源离子注入技术实用化的关键。为此开展了100型MEVVA源注入机大批量的工件注入均匀性的研究。本文介绍了100型MEVVA源注入机的靶室结构和靶盘分布,研究了0°定位自转、靶盘公转自转、45°定位自转的注入离子浓度分布。这三种方式的注入离子浓度分布都不能满足大批量均匀注入的需要。但45°定位自转的注入离子浓度分布的趋势与另两种相反,这意味着将45°定位自转与0°定位自转或靶盘公转自转相结合进行复合注入,可以得到均匀的注入效果。通过对几种注入方式的拟合计算来确定复合注入的注入比例。最后通过实验研究了靶盘不同运动状态的复合注入,得到了相当均匀的注入效果。

1123K燃气环境中钛铝合金的氧化特征研究

研究了金属间化合物-γTiAl基合金:Ti-48Al-2Cr-2Nb在1 123 K燃气环境中的高温氧化特征.检测了该合金在上述氧化条件下循环氧化总计1 080 ks(300 h,15次循环)的氧化增重情况,并对其氧化层的组成和结构用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)进行了分析和观测.研究发现:Ti-48Al-2Cr-2Nb在1 123 K燃气环境中具有优异的抗氧化能力,经历1 080 ks循环氧化后试样的氧化增重小于0.01 kg.m-2,而且其氧化动力学曲线近似符合抛物线氧化增重规律.对其氧化层结构的分析和检测表明:氧化层完整致密,无剥落现象发生.研究认为,Ti-48Al-2Cr-2Nb在1 123 K燃气环境中所表现的较强抗氧化能力主要是合金元素Cr和Nb的添加以及外在氧化条件的影响.其中大量合金元素的存在有效地促进了保护性Al2O3氧化层的形成,有利于氧影响层的稳定存在,并阻止了该合金内氧化的发生.

质子辐照与电子辐照对空间GaAs/Ge太阳电池性能影响比较

利用地面实验室加速器提供的离子束模拟空间质子、电子辐射,分别对空间实用GaAs/Ge太阳电池进行不同注量的辐照,并跟踪测试其电性能变化和深能级瞬态谱,研究这种太阳电池的电性能参数随质子、电子辐照注量的变化关系,得到质子、电子辐射效应及两者辐射效应的联系规律.结果表明:引起电池性能参数衰降相同时,1 MeV电子辐照注量比10 MeV质子的通常要大3个量级,质子辐照与电子辐照使电池性能参数Pmax下降了25%时,辐照注量有近似关系Φ1 MeV(e)≈2 500×Φ10 MeV(p).10 MeV,3×1012cm-2质子辐照在电池材料中引入Ec-0.18 eV和Ec-0.65 eV深能级,1 MeV,1×1015cm-2电子辐照在电池材料中引入Ec-0.12 eV和Ec-0.18 eV深能级,电子、质子辐照产生的损伤缺陷不尽相同.

利用背散射方法测量整体X光透镜的性能

为了避免探测系统的死时间问题,采用有机玻璃刀口作为散射体来降低探测系统死时间。通过分析来自有机玻璃散射体的背散射谱,测量了不同能量X射线在透镜会聚光束中的空间分布,为分析“光晕(halo)”现象提供了能谱依据,在此基础上,系统地分析了“halo”现象。在大能量范围内,分别利用轴向扫描法和刀口扫描法测量了透镜出口焦距、发散度及焦斑大小与能量的关系。利用背散射方法测量透镜焦斑直径时的相对误差在3%以内;利用轴向扫描法确定透镜出口焦距时的绝对误差在–120—120μm之间。

0.4~2.6 MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面测量

应用北京师范大学2×1．7MeV串列加速器提供的质子束，采用相对测量方法测量了0．4～2．6MeV宽能区质子在轻核Al上160°背散射截面．结果表明，对于质子在轻核Al上的散射截面，可用卢瑟福散射截面公式计算的最大入射质子能量是1．5MeV，质子能量大于该值时，出现连续的非卢瑟福散射共振区．

利用整体毛细管X光半会聚透镜会聚同步辐射

为了进一步开展基于整体毛细管X光半会聚透镜和同步辐射的微区X射线分析,利用整体毛细管X光半会聚透镜和超环面镜的组合会聚了同步辐射。在8 keV能量点,利用超环面镜,将面积为2.3 mm×26 mm,竖直发散度和水平发散度分别近似为0和1.1 mrad的同步辐射光束会聚为面积为0.9 mm×0.3 mm,水平和竖直发散度分别为1.4 mrad和0.1 mrad的束斑,然后利用整体毛细管X光半会聚透镜将束斑会聚成直径为21.4μm的微焦斑,该整体毛细管X光半会聚透镜对束斑的传输效率为7.9%,该透镜焦距和焦斑处单位面积上的强度(功率密度)增益分别为13.3 mm和59。

测量整体X光透镜性能的一种新方法

为了高效准确地确定整体X光透镜焦斑位置,设计了一种新方法:轴向扫描法.该方法避免了探测系统的死时间问题,可以在大能量范围内同时测量透镜在不同能量点的出口焦距,在确定透镜出口焦距时,测量结果的绝对误差范围在-120μm和120μm之间.实验结果表明:透镜的出口焦距随着能量的增加而增加.