SiC MOSFET与GaN HEMT低温特性测试及对比分析

以SiC MOSFET和GaN HEMT为代表的宽禁带电力电子器件代表电力电子期间未来的发展方向,有望在航天和超导储能等低温领域得到应用。为了对两种器件的低温特性有个全面的认识,对SiC MOSFET和GaN HEMT器件的低温特性进行了对比测试和分析。实验结果显示,温度从300 K降至77 K,MOSFET阈值电压增大至2.77倍,而HEMT降低了42.45%;MOSFET的漏源击穿电压降低了32.99%,HEMT升高了20.12%;MOSFET的导通电阻增大至11.42倍,而HEMT降低了47.34%。基于器件的物理模型,对两种器件低温特性进行分析,分析结果表明,导致两种器件性能不同的原因主要是SiC MOSFET较差的界面品质和HEMT独特的二维电子气结构。