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碳化硅薄膜生长技术的研究进展 被引量：3
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作者 李亚平 安霞 薛成山 《山东师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第2期37-40,共4页
介绍了国际上近年来碳化硅薄膜的研究情况 ,碳化硅外延生长大多采用溅射法 (sputting)、化学气相淀积 (CVD)和分子束外延 (MBE) .对生长工艺对碳化硅薄膜特性的影响进行了对比研究 .
关键词 碳化硅薄膜 薄膜生长 化学气相淀积 分子束外延 溅射 半导体材料
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