有机材料衬底ITO透明导电膜的结构和导电特性研究

采用真空反应蒸发技术，蒸发高纯度铟锡合金，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜．研究了薄膜结构及电阻率、载流子浓度和迁移率等电学参数对制备条件的依赖关系．

有机薄膜衬底 ITO 透明导电膜的制备及光电特性的研究

采用真空反应蒸发技术，在有机薄膜基片上制备出高质量的ＩＴＯ透明导电薄膜，对薄膜的结构和光电特性进行了研究。制备的最佳薄膜在可见光范围的平均透过率达８４％，电阻率为８．２３×１０－４Ωｃｍ，载流子浓度为１．７２×１０２０ｃｍ－３。

用含表面活性剂和螯合剂的清洗液清洗硅片的研究

目前半导体工业生产中普遍采用的清洗技术是 RCA清洗技术 .文中介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗技术 .并利用 X射线光电子谱和原子力显微镜等测试方法 ,分别比较了用两种清洗技术清洗过的硅片表面 .测试结果表明 ,它们的去污效果基本相当 .但对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术优于标准 RCA清洗技术 .

铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜的电学性质研究

真空蒸发醋酸锌和氯化铝，在加热的玻璃基片上制备出铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜。研究了薄膜的结构和电导率随掺杂功率的变化以及真空退火处理对薄膜电导率的影响。

射频磁控溅射制备的柔性衬底ZnO∶Al透明导电薄膜的研究

用射频磁控溅射方法在有机柔性衬底上制备出附着性好、电阻率低、透射率高的ＺｎＯ：Ａｌ透明导电膜。研究了薄膜的结构。

蒸发制备ZnO薄膜的结构及光学电学特性的研究

以乙酸锌作为蒸发物质，采用真空蒸发技术，在加热的玻璃衬底上制备出高质量的ＺｎＯ透明导电薄膜，并对其结构、光学和电学特性进行了研究。

柔性衬底ITO导电膜的低温制备及特性研究

用真空反应蒸发技术在有机薄膜衬底上制备出ITO透明导电薄膜 ,对薄膜的低温制备 (80～ 2 4 0℃ )、结构和光电特性进行了研究。制备的薄膜为多晶膜 ,具有纯三氧化二铟的立方铁锰矿结构 ,最佳取向为 (111)方向。薄膜在可见光区的最低电阻率为 6 .6 3× 10 - 4Ω·cm ,透过率达到 82 %。

电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究

论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理，讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中，膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜，电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ，可见光范围内平均透过率高于９０％．

不同有机衬底上沉积的ZnO ∶Al透明导电膜的研究

用射频磁控溅射法在不同的有机衬底上制备出附着性好、电阻率低、透射率高的 Ｚｎ Ｏ∶ Ａｌ的透明导电膜，并研究了薄膜的结构、电学和光学特性。

新型电子工业清洗工艺研究

本文报告了一种新型电子工业清洗工艺。用该工艺清洗过的硅片上的钠残留量低于常规ｃｍｏｓ／ｓｏｓ栅氧化工艺，去重金属离子的能力及对器件参数的影响与常规ｃｍｏｓ／ｓｏｓ栅氧化工艺相当。新型清洗工艺具有操作简单，价格低廉等优点，无毒，无腐蚀性，对人体无危害，对环境无污染。

GaAs/AlGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉

在 77K温度 ,测量了 Ga As/ Al Ga As多量子阱结构的光电流 ,观测到在ν=15 89cm- 1 ,即λ=6 .2 9μm附近存在一个强电流峰 ,分析认为 ,该电流峰与多量子阱势垒以上的电子干涉有关 .

超晶格界面的电子反射及引起的光电流特性

测量了 ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ超晶格在 Ｔ＝７７ Ｋ时的光电流谱，发现在波数 ■＝１５８９ ｃｍ－１存在一个强电流峰．理论分析认为，该电流峰与超晶格界面的电子反射有关．据此算出的电流峰位置与实验观测结果一致．

多量子阱的电子干涉及引起的光电流特性

根据电子干涉理论分析指出 :多量子阱结构势垒以上的电子 ,由于其干涉效应形成一些分立的弱干涉非定域态。当存在光激发时 ,量子阱中基态电子可跃迁到这些弱干涉非定域态上 ,在外电场作用下形成光电流谱的多峰结构。理论计算出的几个光电流峰位置与实验测量的结果符合较好。

Si(112)高密勒指数面的理论研究

本文用Si_(39)H_(32)、Si_(35)H_(30)、Si_(91)H_(64)和Si_(58)H_(46)原子集团模型模拟Si(112)高密勒指数面,探讨了模拟Si(112)表面模型的选取,计算了诸原子集团中的电荷分布。发现,Si(112)表面元胞所处的环境对表面元胞中电荷分布性质有根本影响,大规模原子集团模型Si_(91)H_(64)较好地模拟了Si(112)表面的性质。不同的模型下都得到一个共同的电子结构特性,即表面原子在悬键方向存在电荷的趋向集居,且这种性质对台面原子尤为明显。这个结果说明,表面电荷的趋向集居是由表面原子的结构特点决定的。

硅离子簇的理论研究

本文采用ＭＮＤＯ方法研究了Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋和Ｓｉｎ２＋（ｎ＝２—６）簇的原子结构，得到了一系列稳定的簇结构，并确定出每一类簇所对应的最佳稳定结构．从中发现，无论Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋还是Ｓｉｎ２＋簇，都存在共同的“幻数’，即４，５，６，然而，Ｓｉｎ，Ｓｉｎ＋和Ｓｉｎ２＋对应的稳定结构一般是各不相同的．本文的结构说明，以往人们单纯从中性Ｓｉｎ簇的研究去推断并解释Ｓｉｎ离子族的结构和性质是不恰当的，荷电将改变原子簇的构型．文中还指出了几个以前没有发现的稳定构型．

用于真空电子器件的非ODS水剂清洗工艺

由于零件表面的污物组分复杂,真空电子器件,如CPT、CDT用的销钉、阳极帽等零件原来全部采用ODS溶剂清洗。为获得极洁净的表面,本文介绍一种非ODS水剂清洗技术。其清洗剂主要组分包括脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基醇酰胺等多种表面活性剂和助剂,符合对人无毒、对环境无毒、对臭氧层无损耗、不含磷酸盐及壬基苯酚乙基盐等综合要求。对清洗过的零件,进行常规检验和X射线能谱分析的结果表明。

退火处理对SnO_2:Sb薄膜结构和光致发光性质的影响

用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出SnO2:Sb薄膜,研究了不同掺杂和退火对薄膜结构的影响。制备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄,晶粒生长的择优取向为(110)。室温下光致发光测量首次观测到392nm附近存在紫外-紫光发射,并对SnO2:Sb的光致发光机制进行了探索性研究。

新型半导体清洗剂的清洗工艺

报道了利用红外吸收谱、X射线光电子谱和表面张力测试仪对新型半导体清洗工艺进行研究的结果 .采用DGQ系列清洗剂清洗硅片时 ,首先需用HF稀溶液浸泡硅片 ,以利于将包埋于氧化层内的金属和有机污染物去除 ;溶液的配比浓度由临界胶束浓度和硅片表面的污染程度确定 ,要确保清洗过程中溶液内部有足够的胶束存在 ,一般DGQ 1、DGQ 2的配比浓度在 90 %到 98%之间 ;当温度接近表面活性剂溶液的浊点温度时 ,增溶能力最强 ,因而清洗液的温度定在 6 0℃ .

退火处理对氧化锌透明导电膜的结构及电学特性的影响

采用真空蒸发技术，以醋酸锌和氯化铝作为蒸发物质，在加热的玻璃衬底上制备出氧化锌和铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜．研究了氢气。

清洗后硅片表面的电子结构

介绍了一种含表面活性剂和螯合剂的新型半导体清洗剂和清洗工艺。利用红外吸收谱、X射线光电子谱和原子力显微镜等 ,把它和标准 RCA清洗工艺的清洗效果做了比较。测试结果表明 ,经清洗过的硅片表面主要是由硅、氧和碳三种元素组成 ,它们分别以 Si-O键、C-O键和 Si-C键的形式存在。两种清洗技术都在硅片表面产生氧化硅层 ,在硅片表面都存在有机碳污染 ,但新型半导体清洗工艺产生的有机碳污染少于标准 RCA清洗。在对硅片表面的粗糙化影响方面 ,新型半导体清洗技术清洗明显优于标准