柔性衬底ITO膜的性质与制备参数关系的研究

用偏压磁控溅射法在水冷PPA(PolypropyleneAdipate)聚脂胶片上制备了性能优良的ITO(IndiumTinOxide)透明导电膜 ,对薄膜的光电性质进行了研究。制备样品的相对透过率为 80 %左右、最小电阻率为 6 .3× 10 -4 Ωcm ,与衬底附着良好。当衬底负偏压为 40V时 ,晶粒平均尺寸最大为 5 5nm ,相应地自由载流子霍耳迁移率有最大值为 89 3cm2 /Vs,薄膜的电阻率有最小值。X射线衍射表明薄膜为多晶纤锌矿结构 ,垂直于衬底的C轴具有 [2 2 2 ]方向的择优取向 ,随衬底负偏压的增大 ,沿 [4 0 0 ]方向生长的晶相减少。最佳衬底负偏压取值范围为 2 0～ 40V。XPS分析表明随衬底负偏压的增大 ,薄膜中的氧空位浓度最大 。

掺氟二氧化锡透明导电膜的核技术分析

运用卢瑟福背散射(RBS)和二次离子质谱(SIMS)技术相结合测量了SnO_2透明导电膜的密度和膜厚,对于常压CVD法制备的SnO_2薄膜密度约为6.20g/cm^3,接近相应块状材料的密度。采用^(19)F(p,αγ)^(16)O共振核反应技术测量了用于非晶硅太阳能电池电极的大面积掺氟SnO_2(FTO)中氟的含量和深度分布以及50—180keV的^(19)F^+离子注入SnO_2膜中氟离子的射程分布参数。结果表明,FTO膜中氟元素的含量和深度分布并不是均匀的,而是在0.6×10^(20)—6.O×10^(20)/cm^3间波动;50—180keV的^(19)F^+离子注入SnO_2膜中氟离子的平均投影射程(R_P)值与理论计算结果符合得很好,而平均投影射程标准偏差(ΔR_P)值则比理论值偏大。