不同设计和饰/釉瓷烧结对氧化锆种植全瓷冠内部和边缘适合性的影响

目的研究氧化锆不同设计和饰/釉瓷烧结对种植全瓷冠内部和边缘适合性的影响。方法采用Cercon计算机辅助设计及制作(CAD/CAM)系统制作3组黏结固位氧化锆种植全瓷冠,每组8颗(n=8)。A组(常规氧化锆烤瓷全冠组):常规边缘氧化锆基底冠+饰瓷,B组(360°氧化锆颈环烤瓷全冠组):360°氧化锆颈环冠边缘基底冠+饰瓷,C组(全解剖式氧化锆全冠组):解剖形态氧化锆全冠+釉瓷。饰/釉瓷烧结前和烧结后采用硅橡胶分别复制氧化锆基底冠、氧化锆全瓷冠在基台就位后的内部及边缘间隙,Micro-CT扫描硅橡胶获得内部及边缘间隙图像,测量基底冠、氧化锆全瓷冠边缘垂直间隙(MG)、冠边缘水平间隙(HMD)、肩台区间隙(CA)、轴面中点间隙(AW)、轴面和面交界处间隙(AOT)。采用SPSS 17.0软件对测量结果进行统计学分析。结果不论饰/釉瓷烧结前还是烧结后,A组HMD均大于B组和C组(P<0.05),B、C组HMD差异无统计学意义(P>0.05),A、B、C三组间MG、CA、AW、AOT均无统计学差异(P>0.05)。饰/釉瓷烧结后,A组MG较烧结前明显减小(P<0.05),A组HMD、CA、AW、AOT及B、C两组各部位间隙与烧结前相比均无统计学差异(P>0.05)。结论 360°氧化锆颈环烤瓷全冠和全解剖式氧化锆全冠的边缘适合性优于常规氧化锆烤瓷全冠,饰瓷烧结对常规氧化锆烤瓷全冠垂直间隙的影响最明显。