掺尿素的TGS晶体的生长及性质研究

利用降温法生长掺尿素的UTGS单晶 ,测试了晶体的热释电和介电特性。结果表明 ,尿素的掺杂提高了晶体的热释电性能。

大尺寸KDP/DKDP晶体热膨胀系数研究

采用Perkin Elmer公司的Diamond TMA热机械分析仪对KDP/DKDP晶体在25~100℃范围内的平均线性热膨胀系数进行了研究。得到KDP/DKDP晶体x切向、z切向、Ⅰ类切向和Ⅱ类切向的平均线性热膨胀系数,分别为：KDP（2.454×10^-5/℃、4.168×10^-5/℃、3.465×10^-5/℃和2.884×10^-5/℃）,DKDP（2.602×10^-5/℃、4.284×10^-5/℃、3.568×10^-5/℃和3.052×10^-5/℃）。另外,实验结果表明大尺寸KDP/DKDP晶体不同部位热膨胀系数存在不均匀性。

MXenes材料的光学特性及相关研究进展

过渡金属碳化物、氮化物或碳氮化物(MXenes)具有丰富的元素组成和结构可调性,显示出丰富的物理化学性质和巨大的应用潜力.本文以此类材料的基本光学特性为基础,从光子发射、透明导电及储能、非线性光学、表面等离激元及拉曼增强、光热转化、光催化及光响应等光学相关领域展开分析和综述.并对此二维材料相关应用的未来发展及机遇作了简单评述,以期为进一步的研究提供参考.

大尺寸红外非线性光学晶体LiInSe2的生长与退火研究

硒铟锂(LiInSe2,LISe)晶体在长波红外激光领域有重要应用价值。目前高质量、大尺寸LISe晶体的稳定生长仍然面临挑战,通过气氛退火后处理工艺能够有效提高晶体光学质量。本文采用定向籽晶垂直布里奇曼法,通过精确控制籽晶熔接,实现大尺寸(∅40 mm×60 mm)LISe晶体的批量稳定制备,为目前国际上报道的最大尺寸LISe晶体。另外,系统探索了LISe晶体的退火工艺,研究表明在740℃、LISe本征气氛下退火150 h,可以明显提高LISe晶体器件光学质量。

GaNbO_(4)晶体掺杂生长及氧空位缺陷调控的研究

采用提拉法成功生长出不同掺杂浓度的Mg:GaNbO_(4)晶体,并对晶体进行了表征;XPRD测试结果表明,晶体具有与GaNbO_(4)晶体相同的晶体结构,同属单斜晶系,C2/m空间群;Laue衍射测试结果表明,晶体结晶性良好,可利用性较高;XPS测试结果表明,Mg ^(2+)有效掺杂进GaNbO _(4)晶体中,且因杂质自补偿效应,调控了晶体中氧空位缺陷的浓度;晶体退火后,氧空位缺陷的浓度再次大幅度升高。

Rb_(2)TiYb(PO_(4))_(3)微晶材料的制备与上转换发光性能研究

采用高温固相法成功制备了Rb_(2)TiYb(PO_(4))_(3)微晶材料,并利用XRD、SEM、紫外-可见漫反射光谱和上转换发射光谱进行了微晶物相、形貌与性能研究。结果显示,纯相无水钾镁矾结构化合物晶粒尺寸在10~20μm,其紫外截止边在377 nm附近,漫反射光谱中出现了Yb^(3+)的两个吸收峰。发射光谱中,480和654 nm处的蓝红双波段上出现转换发光现象,表明此类结构化合物在上转换发光材料方面有较大的应用潜力与研究价值。

Nd∶GdVO_4晶体生长及其1064nm的激光特性

本文报道了用 Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ 方法生长 Ｎｄ∶ Ｇｄ Ｖ Ｏ４ 晶体，测量了该晶体的偏振吸收谱和荧光谱，表明晶体在８０８ ．５ｎｍ 有吸收峰，其发射波长在１０６４ｎｍ 。晶体中掺 Ｎｄ 浓度的原子分数为１ ．５６ ％ 的 Ｎｄ∶ Ｇｄ Ｖ Ｏ４ 的４ Ｆ３／２ 荧光寿命为１００μｓ 。用激光二极管泵浦１ｍ ｍ 厚的 Ｎｄ∶ Ｇｄ Ｖ Ｏ４ 晶体，得到了超过１ Ｗ１０６４ｎｍ 的输出光，泵浦阈值为２０ｍ Ｗ，光光转换效率为５５ ．９ ％ ，斜效率为６３ ％ 。

杂质对KDP晶体光学质量的影响

研究了几类可能出现在KDP晶体的生长溶液中的有机物杂质和无机阴离子杂质基团对KDP晶体散射、透过率、光损伤阈值等光学质量的影响,结果表明,不同种类的杂质的影响并不相同,造成这一结果的根本原因在于杂质离子的结构及其与晶体表面原子成键能力的不同。

pH值对KDP晶体中散射颗粒的影响

探讨了不同pH值对KDP晶体散射颗粒的影响。结果表明,不同pH值生长条件下生长的KDP晶体中散射颗粒的尺寸、密度呈现明显差异,pH值为5.5条件下KDP晶体中散射颗粒尺寸明显变大,分布稀疏;pH值为2.0时,散射颗粒密度高,尺寸小。其原因在于形成散射的杂质颗粒的存在形式不同。

生长条件对KDP晶体中散射颗粒的影响

利用透射电子显微技术对不同条件下生长的 KDP晶体中包裹物进行了观察并测量了其相应尺寸。结果表明 ,晶体中的生长缺陷、p H值、生长速度和杂质与

硅酸镓镧族非线性光学晶体

中红外非线性光学晶体可以实现中红外激光频率转换、拓展激光波长,在民用和军用领域中有至关重要的应用价值。其中,硅酸镓镧族晶体具有透过范围宽、激光损伤阈值高、晶体质量好等优势,引起了国内外同行的广泛关注。在这篇综述中,我们基于现有的实验数据,研究和分析了三种重要的硅酸镓镧族晶体La3Ga5Si O14(LGS)、La3Ga5.5Nb0.5O14(LGN)、La3Ga5.5Ta0.5O14(LGT)的综合性能,详细总结了它们在电光调Q开关和中红外光参量振荡以及差频激光输出方面的应用。最后,本文还讨论了今后硅酸镓镧族中红外非线性光学晶体的重点发展方向。

一种全新的金属有机配合物非线性光学晶体CdHg(SCN)_4(C_2H_5NO)_2的生长、物化和光学性能表征

在以水和N-甲基甲酰胺的混合溶剂中制备了一种潜在的二阶非线性光学晶体:二N-甲基甲酰胺合硫氰酸汞镉(CdHg(SCN)4(C2H5NO)2(CMTN));用溶液降温法生长出了尺寸为30 mm×27 mm×9mm的较高光学质量的单晶体。采用元素分析、粉末衍射、红外和拉曼光谱、热分析和紫外/可见/近红外透过光谱表征了它的结构、物理化学、热分解和光学性质。该晶体在128.5℃开始分解,其紫外截止波长为358nm。

GaP纳米复合发光材料的合成及性质

用水热合成方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,对材料的物相结构及发光性能进行了表征.研究结果表明:在低温水热条件(150℃,4～8h)下,GaP纳米晶是稳定的,相应的复合材料在通常条件下具有较好的稳定性,并且有较高的发光强度,其发射谱带是中心位于500nm附近的宽谱带.

中红外非线性光学晶体CdSiP2的合成与生长

本文以P,Si,Cd为原料采用双温区法合成出140 g的高纯CdSiP2多晶料锭,分别采用自发形核和施加籽晶的垂直Bridgman法生长出∅12 mm×40 mm和∅15 mm×50 mm优质CdSiP2单晶体。所生长的晶体中无宏观散射颗粒,(004)面的单晶摇摆曲线的半峰宽为40″。透过光谱表明CdSiP2晶体在2~6.5μm的透过率达到57%,接近其理论最大值。辉光放电质谱检测到晶体中含有少量的Fe、Cr、Mn、Ti等过渡金属。电子顺磁共振波谱检测到Fe+和Mn^2+的存在,这些杂质可能会引起晶体在近红外波段的光学吸收。

氧化锆湿凝胶中乙酰丙酮配体的脱除机理及气凝胶复合材料的制备

利用正硅酸四甲酯、正硅酸四乙酯、硼酸三乙酯浸泡聚乙酰丙酮合锆湿凝胶,通过红外光谱(IR)、元素分析(EA)、X射线光电子能谱(XPS)和色谱-质谱联用(GC-MS)等技术证实了有机硅(硼)烷浸泡湿凝胶可加速乙酰丙酮配体的脱除,并推断了相关反应机理.利用正硅酸四甲酯浸泡聚乙酰丙酮合锆湿凝胶显著强化了凝胶骨架,通过低成本干燥技术可以获得纳米多孔、高比表面积的ZrO2气凝胶.在石英纤维增强的ZrO2气凝胶复合材料中,纤维骨架进一步阻止了干燥收缩,微波干燥即可获得超轻质石英纤维/二氧化锆气凝胶复合材料(SFZA),稳态平板测试结果表明,其在1000℃下的导热系数最低可至0.042 W∙m^(−1)∙K^(−1),1200℃下导热系数最低可至0.063 W∙m^(−1)∙K^(−1).

掺钕钒酸钇单晶生长研究

对掺钕钒酸钇（Ｎｄ∶ＹＶＯ４）的多晶料制备、单晶生长、晶体生长形态、掺质分凝效应等进行了系统研究。本文报道了该研究的主要结果。

单晶光纤制备及高温传感器研究进展

单晶光纤(single-crystal fiber),是一种纤维形态的晶体材料,凭借优异的物理和化学性能以及大长径比的结构特点在国防及民生领域都有着广泛的应用前景。随着导模法、激光加热基座法以及微下拉法等生长技术的日渐成熟,单晶光纤迎来了科学研究和应用发展的黄金时期,其材料种类以及应用方向均呈现多元化发展态势,其中面向高温传感领域的高熔点氧化物单晶光纤凭借其耐高温、抗氧化、结构紧凑等特点在强氧化、强辐射、强腐蚀、强电磁干扰等极端环境中展现出了巨大的应用潜力。近年来,研究者们不断将光学、声学等传感技术与单晶光纤介质相结合,在保持传感器结构灵活性的基础上,拓宽了常规玻璃光纤传感器的使用温度,同时弥补了热电偶等传统接触式测温技术在恶劣环境中寿命较低的缺陷。本文以单晶光纤的制备技术为出发点,回顾了单晶光纤的发展历史,分析了单晶光纤三种主要制备方法的技术特点及发展现状。同时,总结了单晶光纤在高温传感领域的主要研究成果,展望了单晶光纤高温传感技术的应用前景。

掺钕钒酸钇单晶光谱与激光特性

测量了掺钕钒酸钇（Ｎｄ∶ＹＶＯ４）单晶的吸收光谱、发射光谱和荧光寿命，进行了激光二极管（ＬＤ）泵浦激光实验。Ｎｄ∶ＹＶＯ４激光器理想的泵浦光是波长８０８．６ｎｍ的π偏振光；Ｎｄ∶ＹＶＯ４晶体主发射峰波长为１０６４．３ｎｍ；含Ｎｄ原子浓度为１．２２％的Ｎｄ∶ＹＶＯ４晶体荧光寿命为９５μｓ；泵浦阈值功率为２０ｍＷ，斜效率为５６．３９％。

氘含量对DKDP晶体横向受激拉曼散射增益系数的影响

本文测量了不同氘含量K(H1-xDx)2PO4晶体(DKDP晶体)在Z(XX)Y散射配置下的自发拉曼散射光谱,并详细分析了氘含量对与横向受激拉曼散射(TSRS)增益系数有关的拉曼频移、半峰宽和散射强度的影响.然后通过与去离子水拉曼散射对比得出了不同氘含量DKDP晶体的TSRS增益系数.结果表明随着氘含量的增加DKDP晶体的TSRS增益系数先减小至KDP晶体的40.1%,后增大至68.9%;本文认为掺氘后拉曼半峰宽的变化是引起TSRS增益系数随氘含量变化的主要原因.

EDTA对KDP晶体光学性质影响

本文探讨了不同掺杂浓度下 ,EDTA对 KDP晶体光学性质的影响。结果表明 ,高浓度 EDTA对KDP晶体光散射有明显的影响 ,但对光学均匀性和光损伤阈值无明显影响。