某新能源装备公司X射线探伤机项目辐射环境监测评价

依据国家相关标准,对某新能源装备公司X射线探伤机项目周围辐射环境进行监测,根据监测结果评价辐射防护效果并提出合理可行的建议。在工作状态下,探伤室周围环境X-γ辐射剂量率监测结果范围为(55.1~251.1)nGy/h,低于《工业X射线探伤放射防护要求》(GBZ117-2015)所规定的2.5μGy/h的标准限值,职业工作人员和公众的年有效累积剂量低于《电离辐射防护与辐射源安全基本标准》(GB18871-2002)中规定的标准限值。该项目基本落实了辐射安全管理制度和辐射安全防护各项措施,对周围环境产生的影响较小。

石墨表面TaC涂层的熔盐法制备及表征

目的以K2TaF7和Ta粉为主要原料,在石墨材料表面制备TaC涂层。方法反应物在1200℃的熔盐体系中保温3h,反应生成碳化物,经后续2300℃真空保温1h后,得到TaC涂层材料。采用XRD和SEM对涂层的组成结构进行表征,采用拉开法对涂层的和石墨基体的结合强度进行测量,采用纳米压痕对涂层的硬度和弹性模量进表征,最后对TaC涂层的抗腐蚀性能进行模拟测试评估和实际的SiC长晶测试。结果熔盐法制备的TaC涂层连续地覆盖在石墨表面,保持了原始石墨的形貌,其物相组成为TaC,呈现出亮黄色,厚度为20~40μm,涂层的晶粒无择优取向生长,呈现出无序堆积的状态。TaC涂层与石墨基体的结合强度为9.49 MPa,硬度和弹性模量分别为14.42 GPa和123.32 GPa。TaC涂层样品于2300℃的SiC腐蚀气氛环境下保温3 h,质量损失率仅为0.01 g/(m^(2)·h),远低于同测试条件下无涂层石墨样品的质量损失率4.67 g/(m^(2)·h)。在2300℃氩气气氛下保温3 h的SiC粉包埋TaC涂层的接触腐蚀试验中,SiC和TaC涂层的界面清晰,没有发生相互的扩散。TaC涂层部件应用于2000℃以上保温150 h以上的SiC单晶的生长制备后,涂层部件总体形貌保持完整,部件边缘棱角区域出现了脱落,但其他部位的TaC涂层仍和基体结合良好,涂层在长晶过程中的质量损失率约为0.41g/(m^(2)·h),表现出良好的抗腐蚀性能。结论熔盐法制备石墨表面TaC涂层的工艺简单、成本低、效率高,可制备曲面等不规则的构件。制备的TaC涂层晶粒堆积紧密,没有发生择优取向,与石墨基体的结合强度高,在侵蚀性的环境中,能减弱侵蚀性气体对石墨基体的侵蚀,有望在第三代半导体的制备中得到应用。本研究不仅提供了一种在石墨基体上制备TaC抗腐蚀涂层的方法,也提供了一种在其他碳材料上制备TaC涂层的方法。

动力电池二次利用关键参数识别研究综述

利用参数识别技术对退役动力电池进行分选,实现退役电池的二次利用。研究二次利用前动力电池的性能状况,对电池的剩余容量、剩余寿命、电池的荷电状态(state of charge,SOC)、电荷健康度(state of health,SOH)等影响电池性能的参数进行识别,并根据获取的相关数据来评估退役电池组当前状态下的性能,预测电池的剩余寿命,为动力电池二次利用的参数识别提供理论依据。

大尺寸碳化硅单晶生长环境研究

针对基于物理气相输运法的碳化硅(SiC)单晶生长系统,考虑对流换热的影响建立了传热与传质数学模型,并采用数值模拟的方法研究了其生长系统内的温度场与气相流场。研究表明:坩埚内温度、温度梯度以及加热效率随线圈匝间距与线圈直径的增加而逐渐降低。旋转坩埚可有效解决因线圈螺旋形状而导致的温度场不均匀性。通过不断调整线圈与坩埚之间的相对高度,可保证高品质晶体生长所需的最优温度场环境。此外,坩埚内径尺寸的增加,会加剧其内部自然对流效应。