高能电子束辐照改善电力半导体器件特性研究

用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的器件经过退火处理，可以长期稳定工作。

开管镓扩散系统的研究及在电力半导体器件中的应用

探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实践证明。

一种半导体器件绝缘保护材料的应用研究

采用有机化合物和金属氧化物，按比例均匀混合制成液状ＳＭ材料，涂敷于器件台表面上，经过高温固化，形成坚硬、高密度、不透气的白色固体绝缘保护层。该保护材料经电性能检测和在Ｋｐ５００Ａ晶闸管生产线工艺论证，各项技术指标均符合器件制造要求。用于器件生产能明显地改善表面特性、减少漏电流和提高耐压水平，并使产品合格率大有幅度提高。

脉冲激光沉积法制备β-FeSi_2半导体薄膜

采用脉冲激光沉积(PLD)法在p型Si(100)衬底上制备了β-FeSi2半导体薄膜,并在沉积系统中进行了800℃、3h的原位高温退火过程,最后采用X射线衍射仪、3D显微镜、原子力电子显微镜、荧光光谱仪分析了实验样品的晶体结构、表面形貌、元素组成、红外吸收和光致发光特性。分析实验结果发现,制备的单相β-FeSi2多晶半导体薄膜结晶质量良好,β-FeSi2在Si(100)衬底上沿(202/220)方向择优生长,且在常温下测得了β-FeSi2半导体薄膜的光致发光谱。

碳化硅宽带隙半导体材料生长技术及应用(英文)

概括了宽带隙半导体材料碳化硅的主要特性及生长方法,介绍了其在微电子及光电子领域的应用,并对其发展动态及存在问题进行了简要评述。

碳化硅材料发光特性研究进展

碳化硅作为一种优秀的微电子材料,在高频、高温、大功率、强辐射环境中颇具应用潜力。然而由于其间接带隙的特点,碳化硅LED不能像氮化镓、磷化镓LED那样有效发光,因此人们竞相研究能提高碳化硅发光效率的方法,其中包括非晶碳化硅、多孔单晶碳化硅、用CVD方法制备的纳米碳化硅和用离子注入方法制备的多孔碳化硅。在最近几年,这些研究已取得巨大进展,从而使其成为适用于发展中的OEIC技术的颇具潜力的材料。

二氧化锡纳米线自催化生长及其发光特性研究

在没有添加任何催化剂情况下,通过热蒸发锡粉制备了二氧化锡纳米线。利用扫描电子显微镜,X射线衍射和透射电镜对上述纳米线进行了结构表征。实验结果表明二氧化锡纳米线直径在100～400nm,长度达数十微米。PL分析表明当激发波长为325nm时,在581nm处出现较强的黄色发光峰;在激发波长为250nm时,在可见光区域579nm处形成较强的发光峰,同时伴随一个385nm处较弱的发光峰。二氧化锡纳米线的生长机制符合气-固生长模式。

SiC/SiO_2镶嵌结构薄膜光致发光特性研究

采用 SiC/SiO_2复合靶,用射频磁控共溅射技术和高温退火的方法制备了 SiC/SiO_2纳米镶嵌结构复合薄膜,并应用傅里叶红外吸收(FTIR),X 射线衍射(XRD),扫描电镜(SEM)和光致发光(PL)实验分析了薄膜的结构、表面形貌以及光致发光性能。结果表明,样品经高温退火后在 SiO_2基质中有 SiC 纳米颗粒形成。以 280 nm 波长光激发样品薄膜表面,显示出较强的 365 nm 的紫外光发射以及 458 nm 和 490 nm 处的蓝光发射,其发光强度随退火温度从 800℃升高至 1 050℃而增强。其发光归结为薄膜中与 Si-O 相关的缺陷形成的发光中心。

高密存储介质磁性纳米颗粒薄膜与纳米超晶格结构研究进展(英文)

钴基合金和铁基合金磁性纳米颗粒薄膜和纳米超晶格结构,由于具有较高的矫顽力和各向异性能,较小的粒子尺寸分布和能形成“单域”结构等特性,从而成为颇有潜力的高密存储介质。最近几年,人们竞相研究其制备方法,其中主要包括真空淀积法、液相化学合成法和离子注入法等,采用各种措施来提高存储介质的热稳定性和其他磁学性能,并取得巨大进展。

脉冲激光沉积法制备ZnO薄膜的研究进展

基于氧化锌薄膜紫外光发光的实现,ZnO薄膜成为新的研究热点。综述了各种沉积条件对脉冲激光沉积(PLD)技术生长的氧化锌薄膜的微结构、光学和电学性质的影响,ZnO薄膜的厚度在超过400 nm时,呈现出了近似块状的性质。采用PLD技术,可以在适当的条件下制备具有特定功能的氧化锌薄膜。

氮化镓薄膜研究进展

介绍了GaN薄膜材料的主要性质 ,制备工艺 ,掺杂 ,衬底和缓冲层等相关问题 ,并概述了GaN基器件的研究现状 ,提出了目前GaN研究中所面临的主要问题 .

Mn掺杂GaN纳米条的制备和性质的研究

通过在1000℃下氨化锰掺杂Ga2O3薄膜制备了大量GaMnN纳米条。采用此法得到的剑状Mn掺杂GaN纳米条是六方纤锌矿结构，Mn的原子百分比是5．43％，纳米条的厚度大约为100nm，宽度为200—400nm。X射线衍射（XRD）、扫描电镜（SEM）、透射电子显微镜（TEM）、高分辨透射电子显微镜（HRTEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线光电子能谱（XPS）和荧光分光光度计（PL）用于表征所制备纳米条形貌及光学性质。室温下以325nm波长的光激发样品表面，发现由于Mn的掺杂使GaN的发光峰有较大的红移。最后，简单讨论了GaN纳米条的生长机制。

一种新型动物食品鲜度测量传感器件In/TiO_2·Nb_2O_5的研究

用 Ｎｂ２Ｏ５对ＴｉＯ２半导化和金属 Ｉｎ的增感而研制成的 Ｉｎ／ＴｉＯ２· Ｎｂ２Ｏ５复合氧化物动物食品鲜度测量传感器件，具有灵敏度高，工作温度低和响应动态范围宽等特点，该项研究为非破坏性、快速、准确地检测生物鲜度创造了一条新途径。

sol-gel法制备GaN纳米棒的研究

采用简单、有效的sol-gel法在1 000℃时通过氧化镓凝胶和氨气反应成功合成了GaN纳米棒。XRD和SAED的测试结果表明,GaN纳米棒为六方纤锌矿结构。用TEM观察发现,大部分GaN纳米棒平直而光滑,直径为200 nm^1.8μm,最长的纳米棒达几十微米。室温下光致发光谱的测试发现了较强的355.6 nm处的紫外发光峰和445.9 nm处的蓝色发光峰。

一种高压器件表面保护材料的研究

本文报道了一种SM材料的制备、性能、钝化保护机理和试用结果．该材料具有优良的电性能、钝化保护性能、机械性能和化学稳定性，并经晶闸管生产线工艺论证及应用，能明显地减小漏电流，提高耐压水平和增加产品合格率．该项成果为高压电力半导体器件研究和生产提供了一种高性能的钝化保护材料，具有先进性和实用性．

合成GaN粗晶体棒的研究

利用磁控溅射系统,在Si(111)衬底上的SiC缓冲层上溅射Ga2O3纳米颗粒薄膜。然后令该薄膜在NH3中高温退火,在产物中发现直径为数百纳米的GaN棒。直径如此大的GaN棒在国内外鲜有报道。该晶体棒被认为是在Ga2O3薄膜与NH3自组装反应过程中形成。该工艺可为合成大尺寸GaN一维结构提供一条新的途径。

二氧化硅纳米花的制备及发光特性研究

采用磁控溅射和化学气相沉积技术制备出二氧化硅纳米花。利用扫描电子显微镜(SEM),X射线光电子能谱(XPS)和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对上述纳米结构进行结构表征。用荧光光谱仪(PL)对其光致发光特性进行了研究。结果表明在激发波长为325nm时,在394nm处出现一个发光峰,表现出良好的发光特性。

氨化硅基Ga_2O_3/Al_2O_3制备GaN薄膜的发光特性研究

研究了Ga2O3/Al2O3膜氨化反应自集结制备GaN薄膜的光致发光特性,讨论了发光机制以及生长条件对其光致发光特性的影响。样品的荧光光谱在347nm有一强发光峰,在412nm有一弱发光峰,这两个峰的强度都随着氨化温度的升高和氨化时间的增长而增强,但峰的位置保持不变。我们认为347nm的峰是GaN的带边发光峰由于薄膜中晶粒尺寸的减小而蓝移造成的,而412nm的发光峰则来源于导带到杂质受主能级的辐射复合。

注碳外延硅的荧光特性研究

研究了注碳外延硅经氢气退火及电化学腐蚀处理后的荧光特性。经能量为50keV,剂量为2×1016cm-2的碳离子注入后的外延单晶硅片,在氢气氛下高温退火及电化学腐蚀处理。荧光谱仪分析表明电化学腐蚀是蓝光发射的前提,并且不同的电化学腐蚀条件对发光强度和峰位影响极大。不同的激发光波长亦可影响发光谱的峰位。

GaN基短波光电器件的研究进展

介绍了GaN基发光器件、电子器件以及GaN基紫外光(UV)探测器的研制和发展概况,描述了GaN基短波光电器件的研究进展并对其应用前景进行了展望。