超纯水水质对大直径硅片酸腐蚀表面质量的影响

为了探究超纯水水质对大直径硅片酸腐蚀表面质量的影响,本次研究从影响超纯水水质的多种参数入手,比较超纯水参数浮动时大直径硅片在酸腐蚀工艺中表面质量的变化,采取控制变量方法,根据实际生产情况构建对比实验,分析不同参数的重要程度与影响表面质量。文中对超纯水电阻率、总有机碳(TOC)、颗粒数目、溶氧数值、细菌数目分别探讨,得出完成了初步理论研究,并为实际生产提供指导方向,得出结论:超纯水电阻率越高,通常酸腐蚀冲洗硅片的工艺越稳定;总有机碳(TOC)对酸腐蚀的影响是易产生且明显;其余参数不稳定时,也会有硅片表面质量缺项的出现。

液相还原联用吸附技术处理废气中氮氧化物

在半导体硅片的制作过程中,会产生大量氮氧化物,对环境造成严重的污染,同时也对人体产生极大的危害。本文结合半导体产业特点设计的液相还原技术结合干式吸附技术通过单因素试验考察了pH值、ORP值、风压三个参数对系统去除氮氧化物效率的影响;并利用响应面法,以废气中氮氧化物去除率为相应目标,优化了液相还原系统的工艺参数。在pH值为13;ORP值为-390;风压为176.96 Pa时,液相还原系统对废气中氮氧化物的去除率可达96%以上。经检测,排出废气的氮氧化物含量为4~5 mg/m^3,完全符合国家及地方要求,为厂区及周边环境提供保障。

汽车硅片生产工艺中封装环节颗粒污染的分析

半导体制造过程中,封装工艺需要对汽车硅片进行充氮和真空处理。这一过程,对于汽车硅片的运输和保存相当重要。文章主要研究封装工艺对汽车硅片颗粒污染的程度,对工艺制程的影响以及降低这种影响的方法。封装工艺由于稳定性、无污染性和防氧化性等要求,需要对装有汽车硅片的汽车硅片盒进行充氮和吸真空的工艺步骤,以此来将汽车硅片盒内的水汽和氧气排除。同时使汽车硅片盒内充满干燥的氮气,避免汽车硅片表面生成氧化物,提高汽车硅片的良品率。对于封装环节对汽车硅片造成颗粒污染超标的原因进行了分析,并通过优化汽车硅片封装装置和工艺流程,有效地降低了封装环节对汽车硅片颗粒污染的影响。

固结磨料切割Φ200 mm硅单晶表面损伤研究

研究电镀刚石线在多线切割过程中对半导体硅材料的去除机制与表面损伤情况,在不同的钢线速度下对Φ200 mm硅单晶进行切割实验,并对切割的试样与切屑进行扫描电镜(SEM)测试,观察试样的表面形貌和切屑的形貌,分析半导体硅材料的去除机制与硅片表面不同位置的粗糙度及损伤深度。结果表明:电镀金刚石线切割硅晶体时,线速度越高,进给速度越小,硅晶体材料越容易以塑性方式加工;固结磨料切割后的硅片表面,沿着工作台进给方向,表面粗糙度先增大再减小,硅片中间位置粗糙度最大。钢线入线位置的损伤层最深,且随着切割深度的增加,表面损伤层深度逐渐减小;沿着钢线往复运动的方向,两侧边缘位置粗糙度比中间小,钢线前进侧损伤层深度比回线侧深;进给速度一定时,硅片相同位置表面损伤层深度随着钢线速度的减小而增大。切割后的硅片表面由于局部切削热应力分布不均匀导致有微裂纹产生,相同进给速度时,线速度越高,切割后硅片相同位置表面微裂纹越窄,反之表面微裂纹越宽。