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题名开通脉宽对功率半导体器件双脉冲测试的影响
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作者
张文亮
余伟
杨飞
崔雷
廖辰玮
李文江
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机构
山东阅芯电子科技有限公司
株洲中车时代半导体有限公司
江苏芯长征微电子集团股份有限公司
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出处
《机车电传动》
北大核心
2023年第5期152-161,共10页
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基金
国家重点研发计划项目(2018YFB1201804)。
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文摘
为更好地开展功率半导体器件的双脉冲测试,文章系统性地研究了开通脉宽对功率半导体器件双脉冲测试的影响。通过理论分析结合仿真验证的方式分别研究了IGBT器件和MOSFET器件开关特性与开通脉宽之间的关系,研究发现,IGBT器件和MOSFET器件都会受到关断延时电流偏差和测量自热效应的影响:如果开通脉宽太小,关断延时电流偏差会影响双脉冲测试结果;如果开通脉宽太大,测量自热效应会显著影响双脉冲测试结果;同时,当开通脉宽太小时,IGBT器件的双脉冲测试结果还会额外受到非稳态开关效应影响,而非稳态开关效应会导致测试波形振荡严重,可能损坏器件,但MOSFET器件不会受到非稳态开关效应的影响。研究结果表明,IGBT器件和MOSFET器件都存在一个合理的开通脉宽(或负载电感电感值)范围,在该范围内器件的开关特性几乎不受开通脉宽的影响,而上限临界脉宽建议通过产品手册的热阻抗曲线进行估算,下限临界脉宽建议通过双脉冲实测的方式来确认。
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关键词
功率半导体器件
双脉冲测试
测量自热效应
非稳态开关效应
关断延时电流偏差
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Keywords
power semiconductor device
double pulse testing
self-heating effect caused by testing
nonstationary switching effect
current deviation caused by turn-off delay time
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分类号
TM930
[电气工程—电力电子与电力传动]
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