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峨嵋半导体材料厂企业生态工程评价指标体系及评价方法研究
被引量:
2
1
作者
张义章
游恒进
+1 位作者
陈吕军
施涵
《环境污染与防治》
CAS
CSSCI
CSCD
北大核心
1994年第1期2-6,共5页
本文结合峨嵋半导体材料厂企业生态工程的生态结构和有色金属行业的特点,建立了合理评价企业生态系统的指标体系,提出了恰当的评价方法,为企业生态环境建设和保护成果评定从定性向定量发展提供了科学的手段。
关键词
企业生态工程
指标体系
评价方法
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职称材料
企业生态工程研究──以峨嵋半导体材料厂为例
被引量:
1
2
作者
张义章
陈吕军
《环境科学》
CAS
CSSCI
CSCD
北大核心
1994年第4期5-8,共4页
应用生态学的基本原理和系统工程的方法,遵循生态工程“整体、协调、循环、再生”的原则,进行了峨嵋半导体材料厂企业生态工程的研究。研究内容包括:企业生态系统的设计;通过生产过程中生态工艺的建立和完善,能源的有效利用,废弃...
应用生态学的基本原理和系统工程的方法,遵循生态工程“整体、协调、循环、再生”的原则,进行了峨嵋半导体材料厂企业生态工程的研究。研究内容包括:企业生态系统的设计;通过生产过程中生态工艺的建立和完善,能源的有效利用,废弃物的资源化,大气、水污染物的净化设施的建立,绿化工程的建设以及企业生态环境的监测等环节进行企业生态工程的实施和企业生态工程的综合评价。并在分析企业生态结构的基础上较为详细地论述了企业生态工程的基本理论。研究结果表明,企业生态工程的实现使企业的资源和能源得到最大限度的利用,减少了污染物的排放量,从而减少了由于工业生产对人类所产生的危害,使企业真正达到经济、社会、环境三效益的统一。
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关键词
生态工程
企业生态工程
清洁生产
污染
控制
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职称材料
四川省半导体材料产业的发展现状及对策研究
被引量:
3
3
作者
范学华
《四川有色金属》
2004年第4期7-12,48,共7页
探讨了半导体材料的应用、半导体技术的发展历程、四川半导体材料产业的发展现状以及与国际国内同行业的差距,进而论证了进一步发展四川省半导体产业应采取的对策。
关键词
半导体材料产业
发展现状
对策研究
四川
半导体产业
行业
同行
半导体技术
发展历程
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职称材料
半导体硅材料与信息化社会的高速发展
被引量:
1
4
作者
胡蕴成
邓良平
刘宜家
《新材料产业》
2007年第7期52-56,共5页
电子时代将逐步过渡到光电子时代,最终发展到光子时代。预计到2010年或2014年,硅材料的技术和产业发展将走向极限,第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。这些半导体新材料、新技术以及微电子技术、光电子技术的飞速发...
电子时代将逐步过渡到光电子时代,最终发展到光子时代。预计到2010年或2014年,硅材料的技术和产业发展将走向极限,第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。这些半导体新材料、新技术以及微电子技术、光电子技术的飞速发展,将代表21世纪新兴工业的特色与未来。
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关键词
半导体硅材料
信息化社会
电子信息产业
半导体元器件
支柱产业
半导体材料
社会发展
集成电路
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职称材料
半导体材料产业的发展现状
5
作者
徐远林
《中国金属通报》
2003年第34期2-5,共4页
3.2 砷化镓材料用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸气压控制直拉法),成功制备出4~6英寸大直径GaA...
3.2 砷化镓材料用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸气压控制直拉法),成功制备出4~6英寸大直径GaAs单晶。
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关键词
化合物半导体
半导体材料
垂直梯度凝固法
液封直拉法
布里支曼法
蒸气压控制
单晶
无线通讯
大直径
砷化镓材料
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职称材料
半导体工艺中使用的特种气体
被引量:
1
6
作者
原田光
康显澄
+1 位作者
刘振烈
韩美
《低温与特气》
CAS
1984年第2期1-18,共18页
日本的半导体工业,以优异的半导体生产技术和其创造能力,在世界上取得了惊人的发展。
关键词
半导体工艺
特种气体
半导体生产技术
半导体工业
创造能力
人的发展
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职称材料
综合利用副产物SiCl_4氢还原生产多晶硅
被引量:
8
7
作者
蒋荣华
冯地直
+4 位作者
饶家荣
肖顺珍
彭松文
丁国江
吴贤富
《新材料产业》
2008年第8期27-30,共4页
随着我国近年来多晶硅生产规模急剧扩大,副产物SiCl4产生的数量将是一个非常庞大的数字,如果不能充分利用,采取自由排放,将可能产生环境灾难和巨大资源浪费。因此生产多晶硅的企业,必须现在就考虑对SiCl4副产物的处理问题,这个问...
随着我国近年来多晶硅生产规模急剧扩大,副产物SiCl4产生的数量将是一个非常庞大的数字,如果不能充分利用,采取自由排放,将可能产生环境灾难和巨大资源浪费。因此生产多晶硅的企业,必须现在就考虑对SiCl4副产物的处理问题,这个问题可以说是关系多晶硅生产企业“生死存亡”的大问题。
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关键词
生产规模
多晶硅
副产物
综合利用
氢还原
生产企业
资源浪费
环境灾难
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职称材料
改良西门子法多晶硅还原新技术研究进展
被引量:
6
8
作者
曾亚龙
丁国江
廖敏
《四川有色金属》
2009年第2期1-4,共4页
在日益激烈的国际竞争环境下,传统改良西门子法多晶厂商发展成本更低的替代技术势在必行。本文简单介绍了国外公司的三氯氢硅流化床技术和气液沉积法技术;其中三氯氢硅流化床技术能充分利用现有改良西门子法的全部产品流程,对改良西门...
在日益激烈的国际竞争环境下,传统改良西门子法多晶厂商发展成本更低的替代技术势在必行。本文简单介绍了国外公司的三氯氢硅流化床技术和气液沉积法技术;其中三氯氢硅流化床技术能充分利用现有改良西门子法的全部产品流程,对改良西门子法多晶厂商更具参考意义。
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关键词
三氯氢硅
粒状多晶硅
还原
流化床
气液沉积
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职称材料
输卵管结扎术后异位妊娠破裂
被引量:
5
9
作者
唐水平
《临床误诊误治》
2005年第10期765-765,共1页
关键词
绝育
输卵管
妊娠
输卵管
误诊
输尿管结石
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职称材料
改进型三氯氢硅合成工艺初探
被引量:
15
10
作者
丁国江
《四川有色金属》
1998年第4期10-12,共3页
传统的三氯氢硅合成方法是将氯化氢和硅粉在沸腾炉中反应.此法中,约有15~20%的副产物四氯化硅产生,存在原料消耗高,产品成本高.新工艺应用化学平衡的原理,适当加入部分的四氯化硅,可抑制四氯化硅生成,吸收氯化氢中的微量水份,从而提高...
传统的三氯氢硅合成方法是将氯化氢和硅粉在沸腾炉中反应.此法中,约有15~20%的副产物四氯化硅产生,存在原料消耗高,产品成本高.新工艺应用化学平衡的原理,适当加入部分的四氯化硅,可抑制四氯化硅生成,吸收氯化氢中的微量水份,从而提高三氯氢硅的转化率,降低硅粉单耗,减少设备腐蚀,提高设备寿命.本文主要对改进型工艺进行初步设计探讨,分析传统工艺之不足,以期能对现有生产和技术改造工作有所指导.
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关键词
三氯氢硅
合成
工艺设计
多晶硅
四氯化硅
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职称材料
三氯氢硅和四氯化硅混合比对多晶硅生产的影响
被引量:
5
11
作者
丁国江
《四川有色金属》
1998年第3期14-15,19,共3页
传统现点认为:将三氯氢硅和四氯化硅按一定比例混合进入还原炉进行多晶硅还原生产,可降低消耗,提高效益.本文通过实验研究,得出在现有工艺条件下,将四氯化硅加入三氯氢硅同时进入还原炉进行多晶硅生产,并不能起到预期的效果.经改进后的...
传统现点认为:将三氯氢硅和四氯化硅按一定比例混合进入还原炉进行多晶硅还原生产,可降低消耗,提高效益.本文通过实验研究,得出在现有工艺条件下,将四氯化硅加入三氯氢硅同时进入还原炉进行多晶硅生产,并不能起到预期的效果.经改进后的工艺在实际生产应用中,取得了较好成果.
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关键词
混合比
三氯氢硅
氢还原
四氯化硅
多晶硅
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职称材料
困难胆囊腹腔镜切除50例报告
被引量:
5
12
作者
唐水平
《华北国防医药》
2009年第2期49-50,共2页
关键词
胆囊炎
胆囊结石病
胆囊切除术
腹腔镜
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职称材料
腹腔镜阑尾切除根部及系膜套扎120例临床分析
13
作者
唐水平
《当代医学》
2010年第6期47-48,共2页
目的探讨在腹腔镜阑尾切除术(laparoscopic appendectomy,LA)中运用普通7号丝线套扎阑尾根部后,再将根部与系膜套扎的安全性及可靠性。方法对2004年5月~2008年5月间施行根部套扎后,根部再与系膜套扎120例患者的临床资料进行回顾性分析...
目的探讨在腹腔镜阑尾切除术(laparoscopic appendectomy,LA)中运用普通7号丝线套扎阑尾根部后,再将根部与系膜套扎的安全性及可靠性。方法对2004年5月~2008年5月间施行根部套扎后,根部再与系膜套扎120例患者的临床资料进行回顾性分析。结果手术均获得成功,无中转开腹,平均手术时间为30min,术后平均住院2.5d,无并发症发生。结论LA术中使用普通7号丝线套扎阑尾根部后,再将根部与系膜套扎,安全、可靠、经济。
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关键词
腹腔镜
阑尾切除
丝线
套扎
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职称材料
氧化亚氮的制备方法
被引量:
1
14
作者
松田熙
孙效杰
康显澄
《低温与特气》
CAS
1984年第2期43-46,共4页
在40~100℃下,将尿素,硝酸和硫酸相互反应,并从反应气体中分离所产生的氧化亚氮,将得到高纯氧化亚氮。反应过程没有爆炸危险,也毋需昂贵的催化剂和氨基磺酸。
关键词
制备方法
氧化亚氮
电子控制器
系统原理图
持续时间
检测器
比较仪
输液
电磁阀
液面
继电器
杜瓦瓶
阀门
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职称材料
企业会计内部控制的作用
被引量:
7
15
作者
周光俊
《四川会计》
北大核心
2003年第4期55-55,共1页
关键词
企业
会计内部控制
以人为本
会计监督
财务管理
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职称材料
气管插管全麻下成功取出小儿气管异物1例
被引量:
1
16
作者
刘勇
郑膨
《现代中西医结合杂志》
CAS
2007年第2期164-164,共1页
关键词
小儿
气管异物
全身麻醉
气管插管
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职称材料
四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用
被引量:
7
17
作者
汪光裕
丁国江
艾波
《东方电气评论》
2008年第4期70-72,共3页
笔者之一曾在1982年发表《SiCl4氢化反应的探索》的热力学分析的文章,结合近期国内多晶硅产业蓬勃发展的新形势和对西门子法工艺主要副产物SiCl4有效利用的迫切需要,本文试图探索四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程中循环利用的可能途径。
关键词
四氯化硅
循环利用
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职称材料
副产SiCl_4生产光纤用高纯SiCl_4
被引量:
9
18
作者
袁永春
《四川有色金属》
1999年第1期31-37,共7页
本文探讨了从生产多晶硅副产物中综合回收利用SiCl_4并提纯使其达到生产先导纤维用的质量要求.SiCl_4作为生产光纤光缆的基础原料,其质量好坏直接影响光纤光缆的质量.SiCl_4是工业硅原料与HCl气体合成产物的一部分,其杂质含量很高.研究...
本文探讨了从生产多晶硅副产物中综合回收利用SiCl_4并提纯使其达到生产先导纤维用的质量要求.SiCl_4作为生产光纤光缆的基础原料,其质量好坏直接影响光纤光缆的质量.SiCl_4是工业硅原料与HCl气体合成产物的一部分,其杂质含量很高.研究探讨光纤用SiCl_4中各种杂质元素和其它化合物存在的形态、除去的方法和其对光子传递及光通信的影响和危害,并建立工业化光纤用高纯SiCl_4生产线是本文研究的目的.将生产多晶硅副产物中分离出的粗SiCl_4经二级精馏提纯、化学处理和特殊的充装工艺获得的高纯SiCl_4完全满足了光纤生产的要求.其质量已达到国际先进水平.
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关键词
光纤
高纯四氯化硅
多晶硅
四氯化硅
生产
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职称材料
高纯碲的制备
被引量:
6
19
作者
杨卫东
《四川有色金属》
1998年第4期27-29,共3页
高纯碲根据其纯度可用于制作红外探测器材料、温差发电、潮汐发电和太阳能电池材料、静电复印机硒鼓感光材料和致冷材料等.由于其应用领域不同,对碲纯度要求也不同.本文简述了高纯碲的制备方法,并采用真空蒸馏和区域熔炼法制备出了纯度...
高纯碲根据其纯度可用于制作红外探测器材料、温差发电、潮汐发电和太阳能电池材料、静电复印机硒鼓感光材料和致冷材料等.由于其应用领域不同,对碲纯度要求也不同.本文简述了高纯碲的制备方法,并采用真空蒸馏和区域熔炼法制备出了纯度为99.999995%的高纯碲.
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关键词
高纯碲
碲
真空蒸馏
区域熔炼
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职称材料
竞争激烈的全球多晶硅产业
被引量:
4
20
作者
蒋潇
蒋荣华
周红卫
《新材料产业》
2012年第6期28-36,共9页
全球多晶硅产业,随光伏产业的发展而发展。2009年以前,多晶硅在太阳电池发电成本中所占比例最大,占到70%;而近年多晶硅大幅降价后,多晶硅所占比例降到了30%,光伏组件所占太阳能发电成本的比例则变为最大。过去的2011年,是光伏发展史上...
全球多晶硅产业,随光伏产业的发展而发展。2009年以前,多晶硅在太阳电池发电成本中所占比例最大,占到70%;而近年多晶硅大幅降价后,多晶硅所占比例降到了30%,光伏组件所占太阳能发电成本的比例则变为最大。过去的2011年,是光伏发展史上极为严峻的一年。
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关键词
光伏产业
多晶硅
竞争
发电成本
太阳电池
光伏组件
太阳能
发展史
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职称材料
题名
峨嵋半导体材料厂企业生态工程评价指标体系及评价方法研究
被引量:
2
1
作者
张义章
游恒进
陈吕军
施涵
机构
四川省
峨嵋
半导体
材料
厂
清华大学环境工程系
出处
《环境污染与防治》
CAS
CSSCI
CSCD
北大核心
1994年第1期2-6,共5页
文摘
本文结合峨嵋半导体材料厂企业生态工程的生态结构和有色金属行业的特点,建立了合理评价企业生态系统的指标体系,提出了恰当的评价方法,为企业生态环境建设和保护成果评定从定性向定量发展提供了科学的手段。
关键词
企业生态工程
指标体系
评价方法
分类号
X322 [环境科学与工程—环境工程]
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职称材料
题名
企业生态工程研究──以峨嵋半导体材料厂为例
被引量:
1
2
作者
张义章
陈吕军
机构
四川
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《环境科学》
CAS
CSSCI
CSCD
北大核心
1994年第4期5-8,共4页
文摘
应用生态学的基本原理和系统工程的方法,遵循生态工程“整体、协调、循环、再生”的原则,进行了峨嵋半导体材料厂企业生态工程的研究。研究内容包括:企业生态系统的设计;通过生产过程中生态工艺的建立和完善,能源的有效利用,废弃物的资源化,大气、水污染物的净化设施的建立,绿化工程的建设以及企业生态环境的监测等环节进行企业生态工程的实施和企业生态工程的综合评价。并在分析企业生态结构的基础上较为详细地论述了企业生态工程的基本理论。研究结果表明,企业生态工程的实现使企业的资源和能源得到最大限度的利用,减少了污染物的排放量,从而减少了由于工业生产对人类所产生的危害,使企业真正达到经济、社会、环境三效益的统一。
关键词
生态工程
企业生态工程
清洁生产
污染
控制
Keywords
ecological engineering(ecoengineering),industrial eco- engineering(IEE ),cleaner production,pollution control.
分类号
X322 [环境科学与工程—环境工程]
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职称材料
题名
四川省半导体材料产业的发展现状及对策研究
被引量:
3
3
作者
范学华
机构
四川
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《四川有色金属》
2004年第4期7-12,48,共7页
文摘
探讨了半导体材料的应用、半导体技术的发展历程、四川半导体材料产业的发展现状以及与国际国内同行业的差距,进而论证了进一步发展四川省半导体产业应采取的对策。
关键词
半导体材料产业
发展现状
对策研究
四川
半导体产业
行业
同行
半导体技术
发展历程
Keywords
Semiconductor materials
Semiconductor technique
Development situation
Countermeasure research
分类号
TF046 [冶金工程—冶金物理化学]
F426.63 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
半导体硅材料与信息化社会的高速发展
被引量:
1
4
作者
胡蕴成
邓良平
刘宜家
机构
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《新材料产业》
2007年第7期52-56,共5页
文摘
电子时代将逐步过渡到光电子时代,最终发展到光子时代。预计到2010年或2014年,硅材料的技术和产业发展将走向极限,第二代和第三代半导体技术和产业将成为研究和发展的重点。这些半导体新材料、新技术以及微电子技术、光电子技术的飞速发展,将代表21世纪新兴工业的特色与未来。
关键词
半导体硅材料
信息化社会
电子信息产业
半导体元器件
支柱产业
半导体材料
社会发展
集成电路
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
半导体材料产业的发展现状
5
作者
徐远林
机构
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《中国金属通报》
2003年第34期2-5,共4页
文摘
3.2 砷化镓材料用于大量生产砷化镓晶体的方法是传统的LEC法(液封直拉法)和HB法(水平舟生产法)。国外开发了兼具以上2种方法优点的VGF法(垂直梯度凝固法)、VB法(垂直布里支曼法)和VCZ法(蒸气压控制直拉法),成功制备出4~6英寸大直径GaAs单晶。
关键词
化合物半导体
半导体材料
垂直梯度凝固法
液封直拉法
布里支曼法
蒸气压控制
单晶
无线通讯
大直径
砷化镓材料
分类号
F416.63 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
半导体工艺中使用的特种气体
被引量:
1
6
作者
原田光
康显澄
刘振烈
韩美
机构
不详
峨嵋
半导体
材料
厂
光明所
出处
《低温与特气》
CAS
1984年第2期1-18,共18页
文摘
日本的半导体工业,以优异的半导体生产技术和其创造能力,在世界上取得了惊人的发展。
关键词
半导体工艺
特种气体
半导体生产技术
半导体工业
创造能力
人的发展
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TQ117 [化学工程—无机化工]
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职称材料
题名
综合利用副产物SiCl_4氢还原生产多晶硅
被引量:
8
7
作者
蒋荣华
冯地直
饶家荣
肖顺珍
彭松文
丁国江
吴贤富
机构
四川
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《新材料产业》
2008年第8期27-30,共4页
文摘
随着我国近年来多晶硅生产规模急剧扩大,副产物SiCl4产生的数量将是一个非常庞大的数字,如果不能充分利用,采取自由排放,将可能产生环境灾难和巨大资源浪费。因此生产多晶硅的企业,必须现在就考虑对SiCl4副产物的处理问题,这个问题可以说是关系多晶硅生产企业“生死存亡”的大问题。
关键词
生产规模
多晶硅
副产物
综合利用
氢还原
生产企业
资源浪费
环境灾难
分类号
F426.61 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
改良西门子法多晶硅还原新技术研究进展
被引量:
6
8
作者
曾亚龙
丁国江
廖敏
机构
峨嵋
半导体
材料
厂
、所
出处
《四川有色金属》
2009年第2期1-4,共4页
文摘
在日益激烈的国际竞争环境下,传统改良西门子法多晶厂商发展成本更低的替代技术势在必行。本文简单介绍了国外公司的三氯氢硅流化床技术和气液沉积法技术;其中三氯氢硅流化床技术能充分利用现有改良西门子法的全部产品流程,对改良西门子法多晶厂商更具参考意义。
关键词
三氯氢硅
粒状多晶硅
还原
流化床
气液沉积
Keywords
Granular polysilicon
Deoxidization
Fluidized bed
Gas-liquid deposition
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
输卵管结扎术后异位妊娠破裂
被引量:
5
9
作者
唐水平
机构
峨嵋
半导体
材料
厂
医院
出处
《临床误诊误治》
2005年第10期765-765,共1页
关键词
绝育
输卵管
妊娠
输卵管
误诊
输尿管结石
分类号
R714.22 [医药卫生—妇产科学]
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职称材料
题名
改进型三氯氢硅合成工艺初探
被引量:
15
10
作者
丁国江
机构
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《四川有色金属》
1998年第4期10-12,共3页
文摘
传统的三氯氢硅合成方法是将氯化氢和硅粉在沸腾炉中反应.此法中,约有15~20%的副产物四氯化硅产生,存在原料消耗高,产品成本高.新工艺应用化学平衡的原理,适当加入部分的四氯化硅,可抑制四氯化硅生成,吸收氯化氢中的微量水份,从而提高三氯氢硅的转化率,降低硅粉单耗,减少设备腐蚀,提高设备寿命.本文主要对改进型工艺进行初步设计探讨,分析传统工艺之不足,以期能对现有生产和技术改造工作有所指导.
关键词
三氯氢硅
合成
工艺设计
多晶硅
四氯化硅
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
三氯氢硅和四氯化硅混合比对多晶硅生产的影响
被引量:
5
11
作者
丁国江
机构
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《四川有色金属》
1998年第3期14-15,19,共3页
文摘
传统现点认为:将三氯氢硅和四氯化硅按一定比例混合进入还原炉进行多晶硅还原生产,可降低消耗,提高效益.本文通过实验研究,得出在现有工艺条件下,将四氯化硅加入三氯氢硅同时进入还原炉进行多晶硅生产,并不能起到预期的效果.经改进后的工艺在实际生产应用中,取得了较好成果.
关键词
混合比
三氯氢硅
氢还原
四氯化硅
多晶硅
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
困难胆囊腹腔镜切除50例报告
被引量:
5
12
作者
唐水平
机构
东方电汽集团
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《华北国防医药》
2009年第2期49-50,共2页
关键词
胆囊炎
胆囊结石病
胆囊切除术
腹腔镜
分类号
R657.41 [医药卫生—外科学]
R657.42 [医药卫生—外科学]
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职称材料
题名
腹腔镜阑尾切除根部及系膜套扎120例临床分析
13
作者
唐水平
机构
四川
峨嵋
半导体
材料
厂
职工医院
出处
《当代医学》
2010年第6期47-48,共2页
文摘
目的探讨在腹腔镜阑尾切除术(laparoscopic appendectomy,LA)中运用普通7号丝线套扎阑尾根部后,再将根部与系膜套扎的安全性及可靠性。方法对2004年5月~2008年5月间施行根部套扎后,根部再与系膜套扎120例患者的临床资料进行回顾性分析。结果手术均获得成功,无中转开腹,平均手术时间为30min,术后平均住院2.5d,无并发症发生。结论LA术中使用普通7号丝线套扎阑尾根部后,再将根部与系膜套扎,安全、可靠、经济。
关键词
腹腔镜
阑尾切除
丝线
套扎
Keywords
Laparoscopy
Appendectomy
Silk
Ligation
分类号
R656.8 [医药卫生—外科学]
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职称材料
题名
氧化亚氮的制备方法
被引量:
1
14
作者
松田熙
孙效杰
康显澄
机构
不详
峨嵋
半导体
材料
厂
化工部光明所
出处
《低温与特气》
CAS
1984年第2期43-46,共4页
文摘
在40~100℃下,将尿素,硝酸和硫酸相互反应,并从反应气体中分离所产生的氧化亚氮,将得到高纯氧化亚氮。反应过程没有爆炸危险,也毋需昂贵的催化剂和氨基磺酸。
关键词
制备方法
氧化亚氮
电子控制器
系统原理图
持续时间
检测器
比较仪
输液
电磁阀
液面
继电器
杜瓦瓶
阀门
分类号
TH833 [机械工程—精密仪器及机械]
TQ534 [化学工程—煤化学工程]
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职称材料
题名
企业会计内部控制的作用
被引量:
7
15
作者
周光俊
机构
四川
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《四川会计》
北大核心
2003年第4期55-55,共1页
关键词
企业
会计内部控制
以人为本
会计监督
财务管理
分类号
F275 [经济管理—企业管理]
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职称材料
题名
气管插管全麻下成功取出小儿气管异物1例
被引量:
1
16
作者
刘勇
郑膨
机构
四川省
峨嵋
半导体
材料
厂
职工医院
武警四川总队医院
出处
《现代中西医结合杂志》
CAS
2007年第2期164-164,共1页
关键词
小儿
气管异物
全身麻醉
气管插管
分类号
R768.1 [医药卫生—耳鼻咽喉科]
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职称材料
题名
四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用
被引量:
7
17
作者
汪光裕
丁国江
艾波
机构
峨嵋
半导体
材料
厂
(所)
出处
《东方电气评论》
2008年第4期70-72,共3页
文摘
笔者之一曾在1982年发表《SiCl4氢化反应的探索》的热力学分析的文章,结合近期国内多晶硅产业蓬勃发展的新形势和对西门子法工艺主要副产物SiCl4有效利用的迫切需要,本文试图探索四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程中循环利用的可能途径。
关键词
四氯化硅
循环利用
Keywords
polysilieou
Siemens process
SiCl4
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
副产SiCl_4生产光纤用高纯SiCl_4
被引量:
9
18
作者
袁永春
机构
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《四川有色金属》
1999年第1期31-37,共7页
文摘
本文探讨了从生产多晶硅副产物中综合回收利用SiCl_4并提纯使其达到生产先导纤维用的质量要求.SiCl_4作为生产光纤光缆的基础原料,其质量好坏直接影响光纤光缆的质量.SiCl_4是工业硅原料与HCl气体合成产物的一部分,其杂质含量很高.研究探讨光纤用SiCl_4中各种杂质元素和其它化合物存在的形态、除去的方法和其对光子传递及光通信的影响和危害,并建立工业化光纤用高纯SiCl_4生产线是本文研究的目的.将生产多晶硅副产物中分离出的粗SiCl_4经二级精馏提纯、化学处理和特殊的充装工艺获得的高纯SiCl_4完全满足了光纤生产的要求.其质量已达到国际先进水平.
关键词
光纤
高纯四氯化硅
多晶硅
四氯化硅
生产
Keywords
Optical fibre, high purity silicon tetrachloride, development.
分类号
TQ342.82 [化学工程—化纤工业]
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高纯碲的制备
被引量:
6
19
作者
杨卫东
机构
峨嵋
半导体
材料
厂
出处
《四川有色金属》
1998年第4期27-29,共3页
文摘
高纯碲根据其纯度可用于制作红外探测器材料、温差发电、潮汐发电和太阳能电池材料、静电复印机硒鼓感光材料和致冷材料等.由于其应用领域不同,对碲纯度要求也不同.本文简述了高纯碲的制备方法,并采用真空蒸馏和区域熔炼法制备出了纯度为99.999995%的高纯碲.
关键词
高纯碲
碲
真空蒸馏
区域熔炼
分类号
TN304.14 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
竞争激烈的全球多晶硅产业
被引量:
4
20
作者
蒋潇
蒋荣华
周红卫
机构
成都夏舞科技发展有限公司
峨嵋
半导体
材料
厂
峨嵋
半导体
材料
研究所
出处
《新材料产业》
2012年第6期28-36,共9页
文摘
全球多晶硅产业,随光伏产业的发展而发展。2009年以前,多晶硅在太阳电池发电成本中所占比例最大,占到70%;而近年多晶硅大幅降价后,多晶硅所占比例降到了30%,光伏组件所占太阳能发电成本的比例则变为最大。过去的2011年,是光伏发展史上极为严峻的一年。
关键词
光伏产业
多晶硅
竞争
发电成本
太阳电池
光伏组件
太阳能
发展史
分类号
F416.6 [经济管理—产业经济]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
峨嵋半导体材料厂企业生态工程评价指标体系及评价方法研究
张义章
游恒进
陈吕军
施涵
《环境污染与防治》
CAS
CSSCI
CSCD
北大核心
1994
2
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职称材料
2
企业生态工程研究──以峨嵋半导体材料厂为例
张义章
陈吕军
《环境科学》
CAS
CSSCI
CSCD
北大核心
1994
1
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职称材料
3
四川省半导体材料产业的发展现状及对策研究
范学华
《四川有色金属》
2004
3
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职称材料
4
半导体硅材料与信息化社会的高速发展
胡蕴成
邓良平
刘宜家
《新材料产业》
2007
1
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职称材料
5
半导体材料产业的发展现状
徐远林
《中国金属通报》
2003
0
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职称材料
6
半导体工艺中使用的特种气体
原田光
康显澄
刘振烈
韩美
《低温与特气》
CAS
1984
1
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职称材料
7
综合利用副产物SiCl_4氢还原生产多晶硅
蒋荣华
冯地直
饶家荣
肖顺珍
彭松文
丁国江
吴贤富
《新材料产业》
2008
8
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职称材料
8
改良西门子法多晶硅还原新技术研究进展
曾亚龙
丁国江
廖敏
《四川有色金属》
2009
6
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职称材料
9
输卵管结扎术后异位妊娠破裂
唐水平
《临床误诊误治》
2005
5
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职称材料
10
改进型三氯氢硅合成工艺初探
丁国江
《四川有色金属》
1998
15
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职称材料
11
三氯氢硅和四氯化硅混合比对多晶硅生产的影响
丁国江
《四川有色金属》
1998
5
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职称材料
12
困难胆囊腹腔镜切除50例报告
唐水平
《华北国防医药》
2009
5
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职称材料
13
腹腔镜阑尾切除根部及系膜套扎120例临床分析
唐水平
《当代医学》
2010
0
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职称材料
14
氧化亚氮的制备方法
松田熙
孙效杰
康显澄
《低温与特气》
CAS
1984
1
下载PDF
职称材料
15
企业会计内部控制的作用
周光俊
《四川会计》
北大核心
2003
7
下载PDF
职称材料
16
气管插管全麻下成功取出小儿气管异物1例
刘勇
郑膨
《现代中西医结合杂志》
CAS
2007
1
下载PDF
职称材料
17
四氯化硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用
汪光裕
丁国江
艾波
《东方电气评论》
2008
7
下载PDF
职称材料
18
副产SiCl_4生产光纤用高纯SiCl_4
袁永春
《四川有色金属》
1999
9
下载PDF
职称材料
19
高纯碲的制备
杨卫东
《四川有色金属》
1998
6
下载PDF
职称材料
20
竞争激烈的全球多晶硅产业
蒋潇
蒋荣华
周红卫
《新材料产业》
2012
4
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职称材料
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