半导体硅材料最新发展现状

概述了现代微电子工业的发展状况及对半导体硅材料的新要求，叙述了近年来国际半导体多晶硅和单晶硅材料的发展状况与趋势。

半导体硅材料与信息化社会的发展

重点阐述了半导体硅材料与信息化社会发展的关系；２１世纪新兴工业的特色与未来；国内外半导体硅材料的发展状况及我国在这一领域的科技进步与差距以及对今后的展望。

国内外半导体硅材料最新发展状况

一、半导体硅材料的现状 在当今全球超过2000亿美元的半导体市场中,95％以上的半导体器件和99％以上的集成电路（LSI）都是用高纯优质的硅抛光片和外延片制作的。在未来30-50年内,它仍将是LSI工业最基本和最重要的功能材料。半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等综合优势而成为了当代电子工业中应用最多的半导体材料,它还是目前可获得的纯度最高的材料之一,其实验室纯度可达12个“9” 的本征级,工业化大生产也能达到7～11 个“9’的高纯度。

新世纪国内外半导体硅材料的新发展

本文综述了新世纪高速发展的深亚微米级集成电路对硅材料的新要求,以及国内外硅材料的最新研究和发展状况。还叙述了国内外多晶硅和单晶硅材料的生产技术和市场状况。指出了国内存在的差距并提出了发展我国硅材料的建议。

半导体硅材料的进展与发展趋势

本文叙述了近年来国际国内半导体材料的发展情况及未来的发展方向，同时叙述了半导体工业对硅材料的要求，并提出了我国发展硅材料的建议。

我国半导体硅材料的新发展

本文综述了我国高速发展的硅材料最新研究发展状况和硅材料的生产和市场状况。指出了国内目前存在的差距,并提出了发展我国硅材料的建议。

当代高纯半导体材料分析的进展(二)

6N—8N高纯镓、铟、砷、磷、碲、镉、汞等高纯元素是制备化合物半导体材料的基础材料,要求严格控Fe、Al、Mg、Si、Cu、Pb、Cd、Zn、Sn、C、H、O、N、Na、K等杂质浓度,为了确保产品质量。

化合物太阳能电池与材料的研究进展

本文综述了Ⅱ-Ⅵ族化合物铜铟(镓)硒(CuIn(Ga)Se2)、碲化镉(CdTe)和Ⅲ-Ⅴ族化合物砷化镓(GaAs)等化合物半导体材料及制备的太阳电池的研究和发展状况。

重掺Sb硅单晶中氧沉淀的研究

本文用化学腐蚀和透射电镜及其能谱分析研究了重掺Sb硅单晶中的氧沉淀。化学腐蚀结果表明,Sb的掺入有促进形核的作用,但其最大成核速率仍在750℃左右。随着退火时间的延长,沉淀密度首先增加,而后又下降。透射电镜观察到氧沉淀呈平行四边形平板状,并发现有氧沉淀群及与沉淀相连的位错缠结,但未发现层错。对氧沉淀大小的测量结果表明,它的生长满足t^(3′4)规律。能谱分析指出,Sb元素不参与氧沉淀。为解释Sb的掺入促进形核,本文提出了空位和间隙硅原子影响氧沉淀形成的模型。按此模型,单位体积晶坯的自由能变化应为ΔG_v=-ΔH_v(O)(T_e(O)-T)/T_e(O)-ΔH_v(Si)(T-T_e(Si))/T_e(Si)假设Sb的掺入增加空位浓度,减小间隙硅原子浓度。为此,间隙硅原子的饱和温度将降低。由上式,ΔG_v将随Sb浓度的增加而为更大的负值。因此,氧沉淀形核速率将随掺Sb浓度的增加而加速。

优质高阻异型厚层硅外延IGBT材料n^—／n^＋／p^＋

我们的实验研究结果表明，已经在ｎ＾－／ｎ＾＋／ｐ＾＋的纵向电气与几何参数的最佳理论设计、关键的工艺生长技术和缺陷控制诸主要方面取得了进展，并因此制备了２＇＇－３＇＇１００μｍ厚度的高阻异型镜面硅外延片，且将其成功应用于１３００Ｖ／２０Ａ高性能ＩＧＢＴ的研制。

真空蒸馏法制备高纯碲的研究

近年来,由于碲广泛应用于各高精尖行业,其需求量也在日益增加,对碲产品的纯度要求也更加严格,特别是在高纯碲产品中,微量杂质都会影响其含碲材料的性能。因此鉴于高纯碲产品的高质量要求,本文使用真空蒸馏-区域熔融的方法,采用真空蒸馏碲提纯炉,在蒸馏温度为600℃,真空度控制在2 Pa,蒸馏时间控制在3 h时,可使蒸发率达到96.63%,并可将杂质含量降到0.0001%以下,最终将4 N级碲单质通过真空蒸馏-区域熔融的方法制备出6 N级高纯碲。

P型高阻硅单晶材料的寿命初探

高寿命、低补偿的P型高阻硅单晶是制作激光探测器的重要材料。寿命是P型高阻硅单晶材料的重要参数。作者选择了3组N型多晶硅原材料进行试验,其中每组2个样品,共为6个样品。在实验的基础上,分析了影响P型高阻硅单晶材料寿命的因素。研究结果表明,P型高阻硅单晶材料的寿命不仅取决于晶体的完整性和材料的纯度,而且还与原材料和成晶工艺有密切关系,同时作者提出了提高P型高阻硅单晶的寿命的几点建议。

硅基太阳能电池与材料

综述了近年来国内外硅基太阳能电池及其材料的研究和发展现状;探讨了硅材料的制备工艺与材料的性能,以及采用它们所生产电池的优势与不足;并展望了硅基太阳能电池的发展趋势。

砷化镓材料的发展与前景

综述了世界GaAs材料的生长技术发展状况、生产状况、应用和市场状况及发展趋势。

GaN基材料的特性及光电器件应用

GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大,以及介电常数小等特点,因此,它们在 高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器,以及在高温、高频、大功率半导体器件等领域有 着广泛的应用前景。

坯样中SiO_2与Al_2O_3对电瓷制品机械强度的影响

机械强度是电瓷制品的主要性能之一，与坯料中Ａｌ２Ｏ３与ＳｉＯ２质量分数有密切关系。本次试验结果表明，随着坯料中Ａｌ２Ｏ３质量分数的增加、ＳｉＯ２质量分数的减少，电瓷制品的抗折强度、抗冲击强度也相应提高。本文对其产生机理进行了较详细的讨论。

改良西门子法多晶硅产品质量分析

以工业硅为原料采用改良西门子法生产出质量优良的多晶硅,分别采用ICP-MS、低温傅立叶变换红外光谱、硅多晶气氛区熔基P检验法和真空区熔基B检验法等,对三氯氢硅中的杂质和多晶硅产物中的P、B、C、O含量及其P、B电阻率进行了检测,报道了改良西门子法获得的优质多晶硅产品质量检测数据;对影响多晶硅产物质量的各种因素,包括原料混合气进料量变化,还原炉内生长温度,生长过程中AEG电气的电压、电流变化,以及中间产品精制三氯氢硅、氢气的质量等进行了分析讨论。研究结果对于稳定生长高质量多晶硅具有重要参考价值。

关于粘土耐火度公式的修正

由于粘土中各种氧化物杂质对其耐火度影响程度的不同 ,因此在粘土耐火度公式中 ,统用RO来表示各种氧化物杂质的总量 ,并乘以相同的因子系数 ,这样势必会造成用此粘土耐火度公式计算的耐火度与真实值之间存在着较大的偏差。本文针对粘土耐火度公式所存在的问题 ,提出了此公式的修正公式 ,通过实验验正与误差分析 ,表明该修正公式更具准确性和实用性。同时 ,作者对修正公式的适用范围也进行了讨论。

心率变异性120例临床分析

目的:探讨心率变异性(HRV)分析在冠心病、高血压、慢性心衰(CHF)、心肌病、糖尿病(DM)等疾病中的临床意义。方法:选择120例患者作为观察组(A组),进一步分为冠心病组32例,原发性高血压组31例,慢性心衰组24例,心肌病组14例,糖尿病组19例。同时选择60例正常人作为对照组(B组)。所有对象进行24h动态心电图监测,观察120例心率变异性患者的24hHRV时域分析指标。结果:冠心病组、高血压组、慢性心衰组、心肌病组、糖尿病组的各HRV时域分析指标均较对照组明显降低(t=2.064～3.769,P<0.05),糖尿病组各HRV时域分析指标均较对照组降低更明显(t=2.617～3.770,P<0.01)。结论:冠心病、高血压、慢性心衰、心肌病、糖尿病患者HRV降低,即自主神经对心脏的调节能力减弱,HRV可作为冠心病、高血压、慢性心衰、心肌病、糖尿病患者的无创性预测指标。