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光电隔离开关抗静电放电试验失效原因分析
1
作者
王文双
唐锐
牛付林
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期498-499,532,共3页
在抗静电放电(ESD)试验后通常会使用I-V特性扫描对器件是否失效进行判断。但对有些特殊电路而言,使用这种I-V特性扫描可能对电路造成电应力损伤,导致对电路是否满足ESD试验能力做出错误的判断。文章主要以光电隔离开关为例,分析了造成...
在抗静电放电(ESD)试验后通常会使用I-V特性扫描对器件是否失效进行判断。但对有些特殊电路而言,使用这种I-V特性扫描可能对电路造成电应力损伤,导致对电路是否满足ESD试验能力做出错误的判断。文章主要以光电隔离开关为例,分析了造成这种现象的原因,并提出在进行该类光电器件的ESD试验过程中不进行端口I-V特性扫描,以避免由此带来的额外损伤。
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关键词
静电放电
光电器件
人体模型
I-V特性
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职称材料
题名
光电隔离开关抗静电放电试验失效原因分析
1
作者
王文双
唐锐
牛付林
机构
工业和信息化部电子第五研究所国家通用电子元器件质量监督检验中心
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012年第4期498-499,532,共3页
文摘
在抗静电放电(ESD)试验后通常会使用I-V特性扫描对器件是否失效进行判断。但对有些特殊电路而言,使用这种I-V特性扫描可能对电路造成电应力损伤,导致对电路是否满足ESD试验能力做出错误的判断。文章主要以光电隔离开关为例,分析了造成这种现象的原因,并提出在进行该类光电器件的ESD试验过程中不进行端口I-V特性扫描,以避免由此带来的额外损伤。
关键词
静电放电
光电器件
人体模型
I-V特性
Keywords
electrostatic discharge(ESD)
optoelectronics
human body model(HBM)
I-Vfeature
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
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出处
发文年
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1
光电隔离开关抗静电放电试验失效原因分析
王文双
唐锐
牛付林
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2012
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