GB 4943.1-2011《信息技术设备安全第1部分:通用要求》概要

GB 4943的本部分的全部技术内容为强制性。本部分使用重新起草法修改采用国际标准IEC60950-1：2005《信息技术设备的安全—第1部分：通用要求》第二版（英文版）。

EC104环氧胶灌封工艺研究

文章介绍了环氧胶的特点和灌封方式,选择了一种适合多品种、小批量产品的挑胶热风吹灌方式,针对EC104环氧胶灌封后产生气泡的原因进行了分析,确定了其基体和固化剂的最佳配比,优化了灌封工艺流程,并采用梯度升温、分段固化的方式,有效提高了EC104环氧胶的灌封质量,使其满足恶劣环境下的使用要求。

GB8898-2011《音频、视频及类似电子设备安全要求》概要

本标准的全部技术内容为强制性，本标准使用新标准修改采用国际标准IEC60065：2005第7．1版《音频、视频及类似电子设备安全要求》（英文版）。

基于FPGA的DDR3 SDRAM控制器设计

存储器控制器技术研究对于大幅降低处理器访问存储器带来的时间延迟、缓解“存储墙”问题有着十分重要的意义,常规的依赖MIG IP核设计的存储器控制器难以进行访存延迟的测试。文中选取MT41K128M16JT型号DDR3 SDRAM,基于FPGA设计DDR3 SDRAM控制器的控制模块。首先研究DDR3 SDRAM的工作原理及状态转换图;接着将控制模块划分为初始化模块、刷新模块、状态产生模块、状态控制模块四部分,使用Verilog语言进行RTL级代码实现,找到关键的时序延迟接口;最后在ModelSim中完成DDR3 SDRAM控制器控制模块的仿真。仿真结果表明,初始化、刷新等模块的输出波形满足设计的时序要求,写入的数据与读出的数据一致,可有效实现对DDR3 SDRAM初始化、刷新、写、读功能的控制。DDR3 SDRAM控制器底层代码的编写为访存延迟的测试提供了可能。

形状记忆合金电机发展现状及应用

形状记忆合金电机具有机械性能高、体积小、重量轻等特点,可作为驱动元件应用在小尺寸的机械装置中。本文介绍了形状记忆合金电机的基本原理及结构,对其优缺点和研制现状进行了详细分析,并给出了形状记忆合金电机的应用领域与未来发展方向。

氦质谱检漏试验方法分析

从电子元器件气密性封装的原理入手,介绍了常用的检漏试验方法,阐述了美军标MIL-STD-883氦质谱检漏试验方法的最新发展,分析了积累氦质谱试验方法的特点及要求,并探讨了基于氦气交换时间常数τHe的氦质谱检漏思路。

铯束管寿命分析

铯束管是铯原子钟的核心器件,本文介绍了磁选态、激光抽运、磁选光检三种类型铯束管的工作原理与特点,对影响铯束管寿命的装铯量、吸铯剂、电子倍增器等因素进行了阐述和分析,提出了保证铯束管长寿命工作的建议。

重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量

通过衬底剥离技术对以重掺N型磷化铟(N^+-InP)衬底生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As外延层的迁移率测量方法进行了研究。首先,采用环氧树脂胶将In_(0.53)Ga_(0.47)As外延层粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上,以盐酸溶液腐蚀掉InP衬底;之后,采用扫描电子显微镜能谱及金相显微镜对InP衬底的剥离情况及In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜的损伤情况进行了检测;最后采用范德堡法对粘贴在半绝缘蓝宝石衬底上的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜的迁移率进行了测量。通过对比试验得出,剥离InP衬底的In_(0.53)Ga_(0.47)As薄膜的迁移率测量结果与理论值符合较好,与真值偏差在20%以内。

基于空间行波管研制全过程的标准化工作

分析空间行波管的特点及存在的问题,基于空间行波管研制全过程分析其标准化需求,从设计、产品制造和检验的全过程提出空间行波管设计要素要求、工艺要素要求和详细规范控制要求。

以行业需求为导向 自主创新研制标准

介绍了近些年继电器国家军用标准制修订的工作实践,用实例反映出电子元器件国家军用标准制定工作的现状与思路,在借鉴国外先进经验的基础上,结合我国国情、军情,以行业发展、工程需求为导向,制定适合我国国情的国家军用标准,满足武器装备对电子元器件的需求。