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剂量增强效应的蒙特卡罗模拟及实验研究
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作者 吴正新 孙慧斌 +5 位作者 何承发 赵海歌 刘国卿 童永彭 马玉刚 王莹 《核电子学与探测技术》 CAS 北大核心 2020年第1期94-98,共5页
当X射线入射不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强,介绍了剂量增强效应的基本原理,并采用MCNP5构建三维铅铝屏蔽盒模型,计算了不同能量的X射线透过铅与铝产生的次级电子能谱以及穿过屏蔽盒后的金硅界面剂量深度分布.模... 当X射线入射不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强,介绍了剂量增强效应的基本原理,并采用MCNP5构建三维铅铝屏蔽盒模型,计算了不同能量的X射线透过铅与铝产生的次级电子能谱以及穿过屏蔽盒后的金硅界面剂量深度分布.模拟计算表明,能量低于300 keV的X射线穿过铅铝屏蔽盒后的次级电子通量明显降低,剂量增强效应几乎可以忽略,界面硅一侧剂量均匀分布,并且实验结果与计算结果几乎吻合. 展开更多
关键词 MC模拟 铅铝屏蔽盒 次级电子能谱 剂量增强
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