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高气压下温度对金刚石膜择优取向的影响
被引量:
2
1
作者
周学芹
史玉芬
+1 位作者
李坤
刘小利
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期711-713,729,共4页
采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2%,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究。采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析...
采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2%,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究。采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析。结果表明,在高气压条件下,沉积温度由800℃升高至900℃时,金刚石膜的表面形貌由(111)晶面择优取向逐渐转向(100)晶面择优取向;沉积温度由900℃升高至1050℃时,金刚石的表面形貌由(100)晶面择优取向逐渐转向(111)晶面择优取向。
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关键词
MPCVD
金刚石膜
沉积温度
择优取向
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职称材料
高气压高功率条件下MPCVD法制备金刚石单晶
2
作者
史玉芬
周学芹
+1 位作者
李坤
刘小利
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期967-971,共5页
利用自主研发的圆柱谐振腔式MPCVD设备,在工作气压28kPa,微波功率5kW的条件下成功制备金刚石单晶,并采用光学显微镜、激光拉曼谱(Raman)技术对样品进行表征。结果表明,在高气压高功率条件下单晶的沉积速率高达26μm/h,且表面形貌平整。
关键词
金刚石单晶
沉积速率
MPCVD
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职称材料
高气压条件下MPCVD法快速制备金刚石膜
3
作者
周学芹
史玉芬
+1 位作者
李坤
刘小利
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期2177-2180,共4页
近年来研究表明,在微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石的过程中,增大反应气压和微波功率是提高金刚石生长速率的有效途径。本文采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在反应气压30 kPa、微波功率5.8 kW、CH4...
近年来研究表明,在微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石的过程中,增大反应气压和微波功率是提高金刚石生长速率的有效途径。本文采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在反应气压30 kPa、微波功率5.8 kW、CH4浓度不同的条件下进行了多晶金刚石膜的制备研究,并采用扫描电镜、X-射线衍射和激光拉曼光谱技术对所制备样品的表面形貌、物相及品质进行了分析。结果表明,CH4浓度由2.5%提高至5%,金刚石膜的质量较好,沉积速率由7.5μm/h提高至27.5μm/h。
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关键词
MPCVD
金刚石膜
生长速率
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职称材料
题名
高气压下温度对金刚石膜择优取向的影响
被引量:
2
1
作者
周学芹
史玉芬
李坤
刘小利
机构
常州
大学材料科学与工程学院
常州宝颐金刚石科技有限公司
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期711-713,729,共4页
文摘
采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源、反应腔压强30kPa、微波功率6kW、CH4浓度2%,在不同的沉积温度下进行了多晶金刚石膜的制备研究。采用扫描电镜、X-射线衍射技术对所制备样品的表面形貌、物相及晶面取向进行了分析。结果表明,在高气压条件下,沉积温度由800℃升高至900℃时,金刚石膜的表面形貌由(111)晶面择优取向逐渐转向(100)晶面择优取向;沉积温度由900℃升高至1050℃时,金刚石的表面形貌由(100)晶面择优取向逐渐转向(111)晶面择优取向。
关键词
MPCVD
金刚石膜
沉积温度
择优取向
Keywords
MPCVD
polycrystalline diamond films
deposition temperature
preferred orientation
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
高气压高功率条件下MPCVD法制备金刚石单晶
2
作者
史玉芬
周学芹
李坤
刘小利
机构
常州
大学材料科学与工程学院
常州宝颐金刚石科技有限公司
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第4期967-971,共5页
基金
国家自然科学基金(51372044)
文摘
利用自主研发的圆柱谐振腔式MPCVD设备,在工作气压28kPa,微波功率5kW的条件下成功制备金刚石单晶,并采用光学显微镜、激光拉曼谱(Raman)技术对样品进行表征。结果表明,在高气压高功率条件下单晶的沉积速率高达26μm/h,且表面形貌平整。
关键词
金刚石单晶
沉积速率
MPCVD
Keywords
diamond single crystal
growth rate
MPCVD
分类号
TQ164 [化学工程—高温制品工业]
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职称材料
题名
高气压条件下MPCVD法快速制备金刚石膜
3
作者
周学芹
史玉芬
李坤
刘小利
机构
常州
大学材料科学与工程学院
常州宝颐金刚石科技有限公司
出处
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第8期2177-2180,共4页
文摘
近年来研究表明,在微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)制备金刚石的过程中,增大反应气压和微波功率是提高金刚石生长速率的有效途径。本文采用自主改进的圆柱谐振腔式MPCVD装置,以H2-CH4为气源,在反应气压30 kPa、微波功率5.8 kW、CH4浓度不同的条件下进行了多晶金刚石膜的制备研究,并采用扫描电镜、X-射线衍射和激光拉曼光谱技术对所制备样品的表面形貌、物相及品质进行了分析。结果表明,CH4浓度由2.5%提高至5%,金刚石膜的质量较好,沉积速率由7.5μm/h提高至27.5μm/h。
关键词
MPCVD
金刚石膜
生长速率
Keywords
MPCVD
polycrystalline diamond films
growth rate
分类号
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高气压下温度对金刚石膜择优取向的影响
周学芹
史玉芬
李坤
刘小利
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
2
下载PDF
职称材料
2
高气压高功率条件下MPCVD法制备金刚石单晶
史玉芬
周学芹
李坤
刘小利
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
下载PDF
职称材料
3
高气压条件下MPCVD法快速制备金刚石膜
周学芹
史玉芬
李坤
刘小利
《硅酸盐通报》
CAS
CSCD
北大核心
2015
0
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职称材料
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