一种新型SOI绝缘硅复合材料的制备与性能表征

提出了一种新型SOI绝缘硅材料及其制备方法。通过高温工艺制备SiO_2-Ta_2O_5-B_2O_3-RO复合粉体,以其为中间层,将上下两层单晶硅片在700～800℃熔凝从而获得Si-insulator-Si 3层结构体。结果表明该样品层间结合紧密、分布均匀,具有良好的高压绝缘性能和介电性能。其绝缘层厚度、深度和性能参数可调,是一种新型的厚膜SOI绝缘硅复合材料。

3种SiO2基无机驻极体材料STBR、SPAP及SiO2薄膜的性能对比与研究

运用热氧化和高温熔凝工艺在轻掺中阻硅片(ρ=8~13Ω·cm)上制备了3种无机驻极体:SiO2薄膜、SiO2-Ta2O5-B2O3-RO复合材料(STBR)以及SiO2-PbO-Al2O3-P2O5复合材料(SPAP)。实验结果显示,STBR为微晶结构,其材料介电常数高达~2000级别,而SPAP为非晶态结构,其介电常数小于3。恒压电晕充电后所有材料均可以获得与栅压相近的表面电位并在室温下保持一定时间;TSD热刺激放电显示3种材料的电荷输运特性各不相同,其中SiO2薄膜的负电流峰位于T=295℃并随充电温度的提高而向高温区漂移,正电流峰则显示异常,总电流谱呈多峰结构;而STBR和SPAP材料的电流谱则均为单峰结构,正负对称,其中STBR的主峰位于T=240℃,而SPAP的主峰位于T=290℃,基本不随充电温度的变化而改变,显示出完全不同的驻电特性,这表明它们是两种新型的无机驻极体复合材料。

基于LabVIEW多通道数据采集系统设计与调试

针对多通道数据采集存在读取数据误差大等问题,给出了一种基于LabVIEW的多个通道数据采集系统的设计。完成对LabVIEW软件部分的主程序以及实时数据采集系统的设计,最终实现该系统的多通道数据采集功能。最后,对多通道数据采集系统进行调试试验,并通过历史数据查询和采集电路的失真性仿真研究,验证了该系统对电压信号的采集功能。

多传感器通道多点数据并行高速采集器设计

为解决传统方法设计的采集器传感器通道单一、运行功耗大、抗干扰能力差及采集效率低问题,设计了一种多传感器通道多点数据并行高速采集器;分析数据采集器工作原理,先对影响采集器高效运行的高频率噪音和高频载波两大干扰因素进行过滤处理;同步采集数据信号,对数据进行校验,通过数据采集处理,实现多传感器通道多点数据并行高速采集器的设计;实验结果表明,改进的数据采集器运行功耗小,抗干扰能力强,采集效率高。

透明微晶玻璃的研究进展

透明微晶玻璃是一种具有优良光、热和力学性能的功能材料,在化工、电子和军事等领域有着广阔的应用前景。本文对近些年来透明微晶玻璃的研究进展、材料的制备和性能等方面进行了阐述。

一种微晶SOI的制作及电荷存储性能研究

运用高温熔凝工艺制作了一种Si-(SiO2-Ta2O5-B2O3-RO)-Si微晶SOI。实验结果显示,该SOI样品的顶层、底层的单晶硅片结合紧密,中间层为微晶结构,具有良好的绝缘、介电性能;恒压正负电晕充电可以在中间绝缘层建立无源空间电场,获得与栅压相近的表面电位;热刺激放电曲线显示,电流峰位于T=513 K附近且呈正负对称,捕获电荷的能阱深度约为1.22 eV。这表明该微晶SOI是一种具有电荷存储能力的新型SOI复合材料。

一种新型无机微晶驻极体材料SiO2-Ta2O5-B2O3-RO的制备与研究

通过成分选择与匹配,运用高温熔凝工艺在单晶硅片上制备成功SiO2-Ta2O5-B2O3-RO无机复合材料驻极体,实验显示:该材料为微晶结构,具有~2000级别的介电常数;恒栅压电晕充电后可获得与栅压相近的表面电位;TSD热刺激放电显示电流峰位于T=240℃处,固定不变且正负对称,被陷电荷的能阱深度约为~1.22eV;实验结果表明,Si O2-Ta2O5-B2O3-RO是一种同时具备对等正负电荷贮存能力的新型无机微晶驻极体复合材料。