常州瑞华电力电子器件有限公司专访

常州瑞华电力电子器件有限公司成立于1990年,是由金坛电力半导体器件厂、瑞典国瑞华公司以及机械部西安电力电子技术研究所三方共同合资组建而成的,地处长江三角洲洲部,交通便利,总占地面积为8000平方米,工业基础雄厚且设备仪器完备.企业现有员工68人,其中具有高级职称的8人,中级职称的11人,初级以上(含初级)职称有18人,科技人员占职工总数的54%.多年来公司始终坚守"以科技为基础、以管理为导向、以质量创名牌、以服务求信誉"的质量方针,力求达到出厂合格率百分之百、用户服务满意率百分之百的目标.

电力半导体功率模块芯片焊接质量可靠性研究

电力半导体功率模块的失效常常与焊接缺陷密切相关,其中焊接层高空洞率,焊接层强度低等问题,是影响引起功率模块失效的主要因素,同时也是可靠性研究的重要内容之一。依据功率模块芯片失效现象分析了芯片失效的原因,阐述了焊接空洞引起功率模块芯片可靠性失效的机理,同时说明了在芯片焊接过程中影响焊接质量的若干因素。

抗辐照SiC MOSFET模块设计与研制

为实现碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)模块在辐照环境下的可靠工作,提出一种抗辐照SiC MOSFET封装结构。利用能抵抗电子辐照的高原子序数材料(即高Z材料),结合双面焊接结构,将外部的辐照电子屏蔽,以实现模块的抗辐照加固。该结构中抗辐照材料与芯片距离较近,尽可能降低了抗辐照材料的冗余,实现在提高模块抗电子辐照能力的同时尽可能降低模块整体重量和体积,以适应在航空航天领域的应用。该结构消除了传统封装中的键合线,降低了模块的寄生电感。通过电子辐照实验后对阈值电压和动态特性的测试验证了研制的抗辐照SiC MOSFET模块的抗辐照能力相比传统封装模块得到显著优化。

超快恢复二极管模块的制作技术

介绍了超快恢复二极管(FR印)模块的工艺结构和内部接线图,略述了它的特性参数和应用领域,以及高频应用领域内节电、节材、提高产品质量和劳动生产率的重要作用。

覆铜铝基板在功率模块封装上的研究

随着工业产品的小型化、轻型化、智能化的发展,对电力电子器件的封装提出了越来越高的要求,功率模块的封装已经成为电子器件轻型化、小型化发展的瓶颈。由于覆铜铝基板具有质量轻、导热好、成本低等优点,因此在功率模块的快速封装中具有较大的应用前景。重点介绍了铝基板在功率模块上的发展和优势,并通过试验对比了传统陶瓷基板,论证了新型覆铜铝基板具有优异的性能,能够满足小功率模块导热和绝缘耐压的性能要求。

三相超快恢复二极管整流桥开关模块

采用混合集成技术,把由六个超快恢复二极管(FBED)芯片组成的三相整流桥和一个作为开关的晶闸管芯片混合集成在一个PPS外壳内,制成了"三相FBED整流桥开关模块",它主要用于VVVF、SMPS、UPS、逆变焊机、伺服电机传动放大器等具有直流环节的变频器内。简要地介绍了这种模块的设计和制作特点、内部结构、应用领域及其主要技术参数。

自动点胶技术在功率模块快速封装中的应用

本世纪初,伴随着步进电机应用于数字控制系统中,自动点胶技术也得到了快速发展,由于具有响应时间短、控制精度高、维护简单等优点,因此能够应用到了功率模块快速封装工艺中。重点介绍了自动点胶技术的原理及其在小功率模块封装上应用的工艺过程,并通过试验对比论证其工艺优势。

基于高温铅锡合金焊料低空洞率焊接研究

功率模块芯片级焊接主要使用的是高温铅锡合金焊料,便于芯片进行二次模块封装,而焊接过程中的空洞是一个关键性的问题。通过高温锡铅合金焊料引入Ag元素,针对不同Ag元素组分下锡铅银合金焊片对焊接层空洞的影响进行了深入研究。实验表明采用高温焊料Pb92.5Sn5Ag2.5,焊接层具有较低的空洞率,高达98%以上的焊透率。

超快恢复二极管模块的制作技术

本文介绍了超快恢复二极管(FRED)模块的工艺结构和内部接线图,略述了其特性参数和应用领域,以及高频应用领域内节电、节材、提高产品质量和劳动生产率的重要作用。

防反二极管模块——新一代的坏保节能代表

介绍了太阳能发电中专用于汇流的防反接二极管模块,分析了它的主要技术指标,以及传统二极管模块所具有的优势.

半导体功率模块芯片低空洞焊接研究

芯片的焊接技术是功率模块制造最为重要的一环,芯片低空洞率焊接对功率模块的参数性能至关重要。主要通过不同的工装夹具和焊接方法比较了两种不同焊接方案,在此基础上选用Sn-Cu、Sn-Ag、Sn-Sb三种不同焊片进行真空焊接,利用X-Ray衍射仪、光学显微镜等测试手段,对微观组织进行了分析,发现Ag元素对合金组织有很好的润湿性,对减少焊接层空洞有利。