二极管失效和烧毁阈值与电磁波参数关系

利用半导体 PN结器件一维模拟程序 m PND1 D,计算了二极管在不同电磁脉冲电压源条件下的失效和烧毁时器件吸收的能量 ,并对结果作了初步分析。

硅二极管对高功率微波的非线性响应计算

考虑二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组中可能考虑的因素 ,利用自行研制的半导体器件模拟程序 m PND1 D,对硅二极管在高功率微波激励下的非线性特性进行了数值计算 ,结果显示出硅二极管对微波信号响应的非线性。

高功率微波激励下二极管失效和烧毁与载流子寿命的关系

利用自行编制的半导体器件一维模拟程序mP ND1D ,通过对二极管内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性偏微分方程组进行数值求解 。

半导体器件模拟中掺杂浓度的处理

讨论了半导体器件模拟计算中的掺杂浓度处理方法，比较了Ｆｏｒｔｒａｎ与Ｍａｔｌａｂ两种计算，指出利用Ｍａｔｌａｂ可以避免复杂繁琐的编程，而且调整极为方便。

硅二极管I-V特性及二次击穿计算

利用时域有限差分方法 ,求解了一维半导体器件内部载流子所满足的耦合、非线性、刚性偏微分方程组。得出了发生二次击穿的判据应以空穴电离率为准 ,而不是通常认为的以电子电离率为准的结论 ,并构造了一种准确、快捷地计算半导体器件反偏I-V特性曲线的方法。

PIN二极管的高功率微波响应

利用自行编制的半导体器件模拟程序 m PND1 D(采用时域有限差分方法 ,求解器件内部载流子所满足的非线性、耦合、刚性方程组 ) ,对 PIN二极管微波限幅器在高功率微波激励下的响应进行了计算 ,比较了不同条件下的计算结果 ,并对二极管微波响应截止频率作了探讨。计算结果表明 :随着激励源幅值的升高 ,器件截止频率增大 ;随着脉冲长度减小 ,器件截止频率降低 ;随着器件恒定温度值升高 。

滤波器的计算机建模分析与仿真

讨论了电子电路计算机仿真分析的方法 ,对滤波器进行了数学建模及计算机仿真计算 ,分析了在电路参数不变的情况下 ,滤波器对其频率的响应 ,以及滤波器中电阻 ,电容对滤波效果的影响 .计算结果表明 :随着频率的升高 ,滤波输出信号幅度逐渐下降 ,呈现出较理想的低通滤波器特性 ;RL 的增大使输出波形的峰值增大 ,C ,R值越大 ,滤波器的滤波效果越好 .仿真结果与理论计算值电压转移函数H0 (S)相符 .