釉中晶相对防静电陶瓷电性能的影响探讨

以Sb掺杂的SnO2半导体为导电填料,选取透明釉、钡无光釉、锆乳浊釉为基釉进行了防静电陶瓷的研制。通过XRD、SEM、EDS等测试手段对防静电陶瓷进行了显微结构分析,重点探讨了基釉中晶相成分与防静电陶瓷电性能的关系。结果表明,釉中晶相对防静电陶瓷电性能的影响是晶相的阻隔作用、釉成分的偏析、导电成分的偏析三者综合作用的结果,透明釉、钡无光釉能制备电性能良好的防静电陶瓷,而锆乳浊釉中锆英石晶相会降低防静电陶瓷的表面电阻,不适于制备防静电陶瓷。

低氟搪瓷钛面釉的研制

在以二氧化钛为主要乳浊剂的搪瓷面釉中降低氟硅酸钠的含量的同时 ,改变B2 O3、P2 O5、R2 O的含量 ,调节各种工艺参数 ,研究分析对瓷釉性能的影响。试验验证了上述三种氧化物能很好地降低氟硅酸钠含量 ,并保证瓷面的白度和光泽。