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InP/SiO_2纳米复合膜的微观结构和光学性质 被引量:3
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作者 丁瑞钦 王浩 +4 位作者 W.F.LAU W.Y.CHEUNG S.P.WONG 王宁娟 于英敏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1574-1579,共6页
应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP SiO2 复合薄膜 ,并在几种条件下对这些薄膜进行退火 .X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明 ,复合薄膜中InP和SiO2 的化学组分都大体上符合化学计量配比 .X射线衍射和激... 应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP SiO2 复合薄膜 ,并在几种条件下对这些薄膜进行退火 .X射线光电子能谱和卢瑟福背散射实验结果表明 ,复合薄膜中InP和SiO2 的化学组分都大体上符合化学计量配比 .X射线衍射和激光喇曼谱实验结果都证实了复合薄膜中形成了InP纳米晶粒 .磷气氛保护下的高温(5 2 0℃ )退火可以消除复合薄膜中残存的In和In2 O3 并得到了纯InP SiO2 纳米复合薄膜 . 展开更多
关键词 纳米晶粒 微观结构 光学性质 纳米复合膜 磷化铟
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