从含钌合金中浸出钌的实验研究

本文通过熔炼碎化、酸溶、有氧煅烧、球磨、碱熔水浸的工艺,从含钌硬质合金中浸出钌。考察了碎化剂与钌合金的比例、熔炼温度、熔炼时间、酸的用量、有氧煅烧温度、物料粒度、碱熔料比、碱熔温度、水浸温度、水浸时间等因素对钌浸出率的影响。结果表明,在最佳实验条件下,钌的一次浸出率可以达到98.5%以上。

含钌吸收液沉钌实验研究

利用氯化铵沉淀含钌吸收液,研究了游离氯化铵浓度、盐酸浓度、反应温度和反应时间对沉钌率及晶体粒度与形貌的影响。结果表明:在一定范围内,增加游离NH4Cl浓度和盐酸浓度能较大幅度提高沉钌率,升高反应温度和延长反应时间仅略微提高沉钌率;增加游离NH4Cl浓度、提高反应温度和延长反应时间有助于形成细小的颗粒,改变盐酸浓度会影响晶体的粒度与形貌。

水浸超声波C扫描检测系统的增益和水距对ITO靶材缺陷检测的准确性研究

试验研究了水浸超声波C扫描检测系统增益和水距对绑定后的ITO靶材绑定缺陷扫描结果准确性的影响。试验表明为测得准确的ITO靶材绑定率,需要计算理论水距,将C-SCAN设备的探头焦点放置在缺陷位置并设定正确的增益值,从而达到准确判断缺陷位置。

胶凝胶法制备薄膜的工艺优化与性能研究

胶凝胶法制备薄膜的工艺优化与性能研究是材料科学领域的重要课题。文章主要研究的是胶凝胶法制备薄膜的关键工艺步骤,包括前驱体溶液配制、溶胶制备、涂覆技术、热处理以及后处理等,并探讨了这些工艺参数对薄膜性能的影响。基于优化前驱体浓度、溶胶稳定性、涂覆均匀性、热处理温度和时间等条件,能提高薄膜的化学成分、微观结构、物理性能、化学性能以及应用性能。

正交化制备ZnTe靶材试验研究

以5N超细ZnTe粉体为原料,采用真空热压法对ZnTe靶材进行制备。以烧结压力、保温时间及烧结温度为实验因子,设计了L9(34)正交化实验。研究表明,靶材的致密度随保温时间的增加而增加,但超过一定时间后,会出现反致密化现象;烧结温度具有一定的影响;而烧结压力对其影响较小。最终分析得出ZnTe靶材制备的最佳工艺在烧结压力为58 MPa、保温时间60 min、烧结温度820℃的真空热压条件下,ZnTe靶材的致密度可达99.5%。

冷喷涂在溅射靶材制备中的应用

溅射靶材是磁控溅射制备薄膜材料的关键原料,其质量显著影响溅射薄膜的性能。常规粉末冶金法制备溅射靶材,其纯度和致密度难以保障;熔炼铸造法制备的溅射靶材,其晶粒较为粗大,且难以制备多组分且熔点差异较大的合金材料。冷喷涂成形靶材致密度高、氧含量低、成分均匀稳定,溅射过程中不会有异常放电,显著提高了靶材寿命。文章主要阐述了溅射靶材的定义、分类以及主要制备方法,综述了冷喷涂技术的原理特点以及在溅射靶材领域的应用现状,最后探讨了冷喷涂技术在溅射靶材制备研究中存在的技术问题和发展趋势。

粉末冶金法制备高密度磷酸锂靶材

文章采用传统的一步真空热压法制备磷酸锂陶瓷靶材。主要研究不同烧结温度对磷酸锂陶瓷靶材相对密度、抗弯强度的影响。通过真空热压反应前后物相变化及组分变化,探究该方法制备磷酸锂靶材的可行性。通过对磷酸锂陶瓷靶材进行分析,结果表明,随着烧结温度的升高,靶材的相对密度不断升高,各项力学性能也呈现正相关趋势。650℃时,靶材的相对密度和抗弯强度达到最大值,分别是96.84%、66.21Mpa,原料及靶材的杂质含量少,且物相稳定单一。