基于JSP技术在线书店系统的后台设计

本文是在线书店系统的后台设计,通过对数据库的设计、封装、连接和操作,体现在线书店系统后台服务的强大功能。

以SiCl_4为源气体用PECVD技术低温快速生长多晶硅薄膜

报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜。实验发现,生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度,而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大。通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜。薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1。

布里渊放大器中Stokes光的高增益放大

微小Stokes信号光在布里渊放大器中得到放大,当Stokes信号光强度为015mj时,增益系数达到67。Stokes光增益决定于Stokes信号光强度及放大池中泵光与Stokes光的耦合程度,小信号Stokes光将得到较大的增益。

将TTS引擎技术应用于Web页面实现中文朗读

介绍了微软公司的TTS引擎技术,以及如何在Web页面实现中文朗读。

三超画王彩电的视频放大电路

该文分析了松下三超画王彩电视放电路的原理和特点。

多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制

以SiCl4 H2 为气源 ,用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜 .实验发现 ,在多晶硅薄膜的生长过程中 ,气相空间各种活性基团的相对浓度是影响晶粒大小的重要因素 ,随功率、H2 SiCl4 流量比的减小和反应室气压的增加 ,晶粒增大 .而各种活性基团的相对浓度依赖于PECVD工艺参数 ,通过工艺参数的改变 ,分析生长过程中空间各种活性基团相对浓度的变化 ,指出“气相结晶”

用替代法测非线性器件的伏安特性

提出一种准确测量非线性器件伏安特性的简便方法。