通过真空镀膜再认识理想气体与稀薄气体

讨论了热力学的基础——理想气体以及同理想气体密切相关的真空与真空薄膜技术;客观地给出并评价了各类气体之间的关系;指出虽然可以继续延用"理想气体"这个名称,但是准确把握理想气体与高压气体、常压真实气体、低压气体之间的关系,对于掌握热力学和统计物理学知识,建立正确的物理思维方法是非常重要的.

ZnO添加对MgTiO_3陶瓷的烧结及微波介电性能的影响

采用传统固相反应法制备了Mg0.95Zn0.05TiO3(MZT)微波介质陶瓷,研究了添加ZnO对MgTiO3陶瓷的烧结过程及介电性能的影响。结果表明,添加ZnO不仅有效降低了MgTiO3陶瓷的烧结温度,提高了陶瓷的致密度,而且有效抑制了中间相MgTi2O5的产生,提高了MgTiO3陶瓷的微波介电性能。当ZnO添加量为摩尔分数5%时,在1 300℃烧结4 h所制MZT陶瓷的物相组成为Mg0.95Zn0.05TiO3,相对密度为96.4%,介电性能为:相对介电常数εr=19.0,品质因数Q.f=27 508GHz(7.8 GHz),频率温度系数τ=–16×10–6/℃。

片式电容器分布参数测算方法的研究

采用矢量网络分析仪测量片式电容器的S参数、射频电路设计模拟仿真软件和Y参数二端口网络模型提取等效串联电路的C、L、R参数,研究了片式电容器在射频电路中的分布参数,并由此计算出不同频率下片式电容器的Q值。结果表明:该方法能够准确地得出片式电容器在射频电路中的分布参数,并能反映出片式电容器的频率特性。

水基流延片式ZnO压敏电阻器低温共烧工艺及其性能

用环境扫描电子显微镜(ESEM)、X射线衍射(XRD)和X射线能谱(EDXS)等研究了水基流延片式ZnO压敏电阻器的低温共烧工艺及其对微观结构和电学性能的影响规律。ESEM分析结果表明:当等静压压力为60 MPa时,Ag电极与流延膜生坯界面结合紧密,Ag电极分布连续,900℃共烧时,未出现开裂、分层,两者收缩率接近。EDXS和XRD分析结果表明:900℃共烧时,Ag在片式压敏电阻器中以单质形式存在,流延膜与Ag电极化学兼容性良好,且在共烧界面处未发现有明显的Ag离子扩散。该流延膜可以与Ag电极在900℃时实现低温共烧,用此制备的片式ZnO压敏电阻器具有良好的压敏性能:压敏电压V1mA=6.1 V,非线性系数α=28.1,漏电流IL=0.15μA。