半导体硅材料薄层方块电阻测定的标准方法在导电薄膜测试中的应用

本文介绍了半导体硅材料薄层方块电阻（Ω／□）的测试方法，及该方法在导电薄膜材料（ＩＴＯ膜）测试中的应用原理。同时提出了相应的测试条件。

用特殊金属四探针法测量半导体陶瓷电阻率

为了解决用探针法直接测量半导体陶瓷电阻率的难题,必须了解这种特殊材料的性质。半导体陶瓷是结构不理想的晶粒体,是含有气孔、玻璃相及晶界层的多晶多相体,其结构远比锗、硅单晶要复杂。探针与陶瓷材料相接触,问题首先集中表现在半导体陶瓷表面比较复杂,有一层氧的化学吸附层。

双β-羧乙基锗倍半氧化物对小鼠和裸鼠移植性肿瘤生长的影响

我们研究了双β-羧乙基锗倍半氧化物(Ge—132)的抗瘤作用,结果表明对小鼠Harding—Passey黑色素瘤(M—HP)、艾氏腹水癌实体瘤(ESC)和裸鼠移植人肺鳞癌的生长有明显的抑制作用,并发现Ge—132与DDP合并应用对抗裸鼠移植人肺鳞癌有协同作用。

Nd:YAG激光晶体开裂与缺陷研究

采用提拉法沿〈111〉方向生长Nd:YAG激光晶体时,经常会发生开裂现象。利用光学显微镜、扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪和光吸收及化学腐蚀等仪器和手段,对开裂Nd:YAG晶体的缺陷特征进行研究。开裂Nd:YAG晶体中有很多不规则包裹物,包裹物内元素含量偏离正常成份;位错密度较高并有塞积现象,位错腐蚀坑中有微裂纹产生;分析表明Nd:YAG晶体开裂是由晶体生长后期的降温不均及生长速率的改变加剧了组分过冷带来的不良后果,产生包裹体造成局部应力集中所致。

激光晶体位错蚀坑的SEM研究

利用扫描电镜(SEM)及能谱(EDS)技术研究激光晶体缺陷,给出了经腐蚀过后Nd∶YAG晶体表面位错蚀坑的清晰图片和元素分布定量信息,同时进行了对比实验,并对实验结果进行了分析。结果表明:Nd∶YAG晶体位错腐蚀坑呈三角锥状,腐蚀坑杂质元素分布较多,主要元素含量偏离晶体完整区成份;位错腐蚀坑稀疏区与密堆区元素分布及含量不同。并讨论了位错成因。

LuAG系列晶体研究进展

LuAG是一种非常优良的基质材料,稀土离子掺杂的LuAG系列晶体的研究在近几年又有了较大的发展,本文系统综述了LuAG晶体在国内外的研究进展,介绍了LuAG系列晶体的生长、性能、发光机理及该系列晶体优良的性能和广阔的应用前景,并探讨了目前LuAG系列晶体存在的问题及其未来的发展方向。

提拉法生长YAG:Er单晶及其发光性能研究

采用提拉法制备了高浓度、大尺寸的YAG∶Er单晶,其XRD结果为纯相,说明高浓度Er3+离子掺杂并未对基质晶体结构产生影响。利用吸收光谱确定晶体最强吸收峰位置位于380 nm和523 nm,并在此吸收峰激发下得到YAG∶Er晶体发射光谱,其最强发射峰位于1528 nm,最后通过寿命曲线对其荧光衰减性质进行探究。

大尺寸Nd,Ce∶YAG激光晶体的生长及缺陷研究

双掺Nd,Ce∶YAG晶体相比传统的Nd∶YAG具有输出能量高、激光振荡阈值低的优点。近几年高能效固体激光器的发展对大尺寸、高质量Nd,Ce∶YAG晶体的需求越来越大。采用提拉法生长大尺寸Nd,Ce∶YAG时,极易出现包裹物和开裂缺陷。本文通过理论与实践相结合的方式分析了晶体在生长过程中产生缺陷的原因,并提出了解决办法,成功生长出直径50 mm等径长150 mm的高质量Nd,Ce∶YAG单晶。本研究可为批量化生长大尺寸Nd,Ce∶YAG晶体的质量改进提供方向和指导。

导电薄膜电阻测量技术的可靠性研究

针对手提式薄膜方块电阻测试仪在使用中容易出现的问题,进行分析研究,提出了解决方案,并在实验中得到实现。研究的问题包括:电池供电的电压监测;探头完全与被测样品接触良好的检测;防止探针对被测样品造成电击穿;测量时自动进行量程转换等。

大尺寸YAG激光晶体的生长研究

随着大功率、高质量固体激光器的发展及应用领域的推广,Nd:YAG激光晶体的市场需求日益增加,同时对晶体的质量要求也越来越高,开展大尺寸晶体生长研究不但可以提高晶体的光学均匀性,而且有利于生产效率的提高。通过对晶体生长设备的改进,生产用水电的改造,不断改善晶体生长的温场环境和工艺的优化,采用控制析晶率的方法,有效的提高了大尺寸Nd:YAG晶体的质量。

Ce∶LuAG闪烁晶体的生长研究

Ce∶LuAG晶体是一种性能优良的闪烁材料,但采用提拉法生长Ce∶LuAG时,经常出现开裂和包裹物缺陷。本文通过理论与实践相结合的方式分析了温度梯度、提拉速度、晶体旋转速度和热应变等因素对晶体产生缺陷的影响,并提出了解决办法,给出了适合生长优质Ce∶LuAG晶体的工艺参数:熔体上方温度梯度在5℃/mm左右,放肩角度在30°~60°,提拉速度1.0~1.5 mm/h,晶体旋转速度15~25 r/min。最后成功生长出直径30 mm、等径长50 mm质量较为完好的Ce∶LuAG单晶,晶体内核心面积小。

新型提拉杆防抖系统的研究

为了提高直拉单晶炉的稳定性,设计了一款新型提拉杆防抖系统,采用磁流体装置+波纹管密封系统替代传统单晶炉橡胶唇形密封系统,有效地解决了提拉杆抖动问题,在实际生产应用中取得了满意的效果.

上称重自控径晶体生长直径突变的研究

使用上称重自动控径单晶炉生长Nd:YAG晶体时,按设计的参数自动控径生长出的晶体在等径下部2/3处发生直径突变,由此引发晶体下端内部出现裂纹、包裹物等严重缺陷,影响了晶体的可用性,降低了生产效率,增加了生产成本。通过采用适当的减小晶体生长直径,降低感应加热线圈和坩埚口的相对高度,连续变转速的方法,成功解决了晶体等径生长后期直径突变的问题,对自控径生长大直径晶体具有指导意义。

大直径SiC单晶材料的应用及前景分析

碳化硅材料由于其在高温、高频、高压等条件下的优势,是制造高压电力电子器件的理想衬底材料,在智能电网、轨道交通、电动汽车、新能源并网、开关电源、工业电机以及家用电器等领域具有重大的应用前景和产业价值。

自动控径单晶炉控温方式的研究

中频感应加热单晶炉生长晶体一般采用铱-铱铑热电偶测温,通过3504过程控制器控制电源输出功率实现自动控温,但生产实践中往往出现热偶测温点松动、断裂以及冷点漂移等诸多问题使炉温波动而严重影响生产的进行,本文介绍了采用中频电源功率模拟量控制的方法,能够避免上述情况的发生,有效的提高了晶体的生长质量和效率。

自动控制在晶体生长中的应用

将自动控制技术应用到人工晶体生长中,可有效提高晶体生长的稳定性、一致性和重复性,大幅提高晶体生长的成功率和降低生产成本,同时有效避免了人为主观因素对晶体生长的影响,有利于提高晶体生长质量。开展了自动控径技术生长YAG系列激光晶体的研究,成功生长出高质量YAG系列激光晶体,实现了晶体生长全程自动化控制。本研究结果可广泛应用于不同工艺的晶体生长。

Nd∶YAG晶体生长过程中熔体液流速度场的数值模拟

采用有限差分法对使用Cz(Czochralski)法生长Nd∶YAG激光晶体过程中熔体中的液流速度场进行数值模拟研究。首先给出了Nd∶YAG晶体生长系统的数学模型 ,然后对上述数学模型进行无量纲化处理 ,最后给出相应的边界条件 ,使用有限差分法求解上述方程。应用上述方法编制仿真程序 ,仿真了改变工艺条件后熔体中液流速度场的变化情况 ,分析了各种工艺条件对液流速度场变化的影响。

反渗透进水SDI测试的污染数学模型分析

SDI测试中水样流速随时间按指数规律衰减,机械堵塞是滤膜的主要堵塞污染过程。本文得出SDI测试的孔堵塞模型表达式,讨论了时间常数τ与SDI测试值的关系,并分析了测试压力,测试滤膜结构参数对SDI测试结果的影响。

Mg_2Si的连续合成

Mg_2Si(硅化镁)是用液氨法制备硅烷气体(SiH_4)的重要原料,而硅烷气体不仅用于法制取高纯多晶硅,而且在半导体器件制备工艺如硅外延、隔离等方面具有广泛的用途。

反渗透系统后置离子交换床运行状态及分析

根据反渗透产水的特点,提出了按反渗透产水的总可交换阴离子与总可交换阳离子的比例来确定反渗透后置混床阴、阳树脂的配比,并对反渗透系统后设置脱气塔,后置阴床的OH-的累积、漏Na+等问题作了分析。