SrO-Nb_2O_5-TiO_2系压敏陶瓷中Nb^(5+)和Sr^(2+)的研究

用显微观察分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb5+和Sr2+掺量的SrO-Nb2O5-TiO2系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb5+和Sr2+的分布和作用;Nb5+固溶在TiO2中取代Ti4+并使晶粒成为半导化,同时也有助于晶粒生长;而 Sr2+主要分布在晶粒边界处,对表面受主态及材料相关电学性能有重要影响;在大气气氛中热处理后的实验结果表明:处理温度在800℃以上时,能显著提高压敏电压,但只有适当的热处理温度。才能使非线性系数有所改善.

氧扩散热处理SrTiO_3压敏电阻的非线性和界面势垒

伏安特性测量和分析表明,随热处理温度增高,空气中氧扩散热处理SrTiO3压敏电阻的界面电子势垒高度和压敏电压不断增大,而非线性系数则开始增大随后反而减小。分析认为,这与扩散层的厚度不断增加有关。复阻抗测量得到晶粒电阻Rg随热处理温度增高而增大的实验事实,为扩散层的存在及其变化提供了间接证明。

n型半导化TiO_2压敏陶瓷的导电机制

分析了n型半导化TiO_2压敏陶瓷中晶粒间界处的受主态性质,得出为晶界受主态的能级是多级化的;利用晶界平衡热电子发射势垒模型,合理地解释了该材料的I-V非线性特征;从理论上推导出了非线性系数α正比于晶界电压,且与晶界受主态的分布函数有密切关系.

影响TiO_2压敏电阻器电性能的因素探讨

通过理论分析和实验经验总结 ,讨论了微观结构、掺杂及烧结工艺对 Ti O2 压敏电阻器电性能的影响 。