基于RF SOI CMOS工艺高线性低功耗LNA设计

基于IBM公司的0.18μm RF SOI CMOS工艺,设计了一款应用于S波段的高线性低功耗低噪声放大器。在传统共源共栅拓扑结构的基础上,本文提出使用有源偏置电路、级间匹配网络和并联反馈结构,使设计的放大器具有噪声低、线性度高和功耗小等特点。仿真结果表明,该放大器在2.3~2.7 GHz频段,电源电压为1.8 V,功耗为9.8 mW的条件下,噪声系数小于0.8 dB,增益大于14 dB,输入回波损耗和输出回波损耗均大于10 dB,隔离度大于27 dB,输入三阶交调截取点大于15 dBm,满足无线基础架构接收器对低噪声放大器的所有性能要求。

一种高性能的功放控制器设计

CMOS控制器是射频功放模组的重要单元,它为射频功放提供稳定的偏置点和简单的逻辑控制。采用复用误差放大器和补偿电容的结构,设计出一种高性能的应用于WCDMA手机功放模组的功放控制器。电路采用TSMC 0.25μm标准CMOS工艺实现,芯片尺寸为840μm×440μm。模式切换时间小于1.5μs,1 GHz下的PSRR小于-10 d B。测试结果表明:输出电压均值为2.894 V,标准差为17 m V,温度系数为-370 ppm/℃,良率为94%。

关于功率放大器中功率检测在负载失配下的研究

在复杂的应用环境中,手机等移动终端设备在负载高驻波比的条件下,其相位的变化会严重影响功率检测的精度。通过对功率检测模型进行理论分析,并利用仿真软件ADS进行仿真和分析,验证影响功率检测精度的关键因素,为在实际系统设计中实现最优化的功率检测精度提供理论指导和实现方案。