基于Rietveld方法的脱硫石膏晶须生长机理研究

为了阐释水热环境下的脱硫石膏晶须(Calcium Sulfate Whisker,HH-CSWs)的生长机理,以提高脱硫石膏(Flue Gas Desulfurization,FGD)的高附加值利用,在120℃的硫酸溶液中,保温时间为60 min的水热条件下合成了大长径比半水硫酸钙晶须。通过Rietveld方法拟合精修了HH-CSW样品及脱硫石膏的XRD曲线。根据Rietveld拟合结果,建立了HH-CSW样品及脱硫石膏的结构模型。晶体结构模型对比分析结果表明,脱硫石膏与HH-CSW晶须的晶体结构存在着明显区别:一是在脱硫石膏结构中有六个Ca-O-S键和两个Ca-O-H键,在HH-CSW结构中有八个Ca-O-S键;二是脱硫石膏结构中有两个H_(2)O通道(分别沿c轴和a轴方向),而HH-CSW结构中只有一个H_(2)O通道。据此可以推断脱硫石膏水热制备HH-CSW的形成机理是脱硫石膏结构中两个Ca-O-H键断裂释放H_(2)O,并与S结合形成两个新的Ca-O-S键,沿c轴释放H_(2)O分子从而失去部分结晶水形成了HH-CSW,为制备大长径比脱硫石膏晶须提供理论依据。

镜像对称的光子晶体透射带特性

通过传输矩阵方法计算了镜像对称光子晶体的带隙结构，结果表明该结构具有优越的窄带滤波性能．如果在该光子晶体两端均加入较高的折射率介质，构成夹心“三明治”结构，这时的光子晶体透射带结构出现多通道滤波特性；当两端加入不同的较高折射率介质但其光学厚度仍保持为基本结构单元的光学厚度时，得到宽度为50～2500nm大范围的低透射区．其具有宽带阻波作用；当两端加入的不同高折射率介质但光学厚度变为基本光学厚度的两倍时，则得到在中心波长处出现非常窄的完全透射峰，这种带隙结构可用来设计优异理想窄带滤波器．

Nb对铁基非晶合金的晶化影响

利用X射线衍射(XRD)和差热分析(DSC)方法试验研究了Nb元素对Fe-(Al,Ga)-(P,C,Si,B)系合金非晶晶化的影响。结果表明:Fe73Nb1Al4Ga2P12B4Si4的晶化过程为α-Fe→α-Fe+Fe5SiP+Al0.7Fe3Si0.3+Fe3B+剩余非晶化相;替代元素Nb的加入提高了材料的晶化温度,改变了Fe74Al4Ga2P12B4Si4的晶化激活能,其中形核激活能(Eg)、晶化起始激活能(Ex)和第一晶化峰激活能(Ep1)都大大增加;另外,Nb的加入还使合金晶化后的晶粒尺寸大大减小。

添加Nb对Fe_(74)Al_4Ga_2P_(12)B_4Si_4非晶合金晶化过程的影响

利用X射线衍射(XRD)、差热分析(DSC)和扫描电镜(SEM)方法试验研究了Nb元素对Fe-(Al,Ga)-(P,C,Si,B)系合金非晶晶化的影响。结果表明:Fe73Nb1Al4Ga2P12B4Si4的晶化过程为α-Fe→α-Fe+Fe5SiP+Al0.7Fe3Si0.3+Fe3B+剩余非晶化相;替代元素Nb的加入提高了材料的晶化温度,改变了Fe74Al4Ga2P12B4Si4的晶化激活能,其中形核激活能(Eg)、晶化起始激活能(Ex)和第一晶化峰激活能(Ep1)都大大增加;另外,Nb的加入显著降低了合金晶化后的晶粒尺寸,并改善了晶粒的均匀度。

小鼠颅骨成骨细胞的分离培养及生物学鉴定

对小鼠成骨细胞的体外分离培养方法进行了摸索，并对其生物学特性进行了鉴定。手术法分离新生小鼠颅骨骨片，用0．25％胰蛋白酶＋0．02％乙二胺四乙酸（EDTA）预消化20～30min，而后用0．08％胶原酶＋0．05％胰蛋白酶＋0．004％EDTA的复合酶多次消化（每次10min）收集细胞，然后接种于细胞培养瓶中进行培养，并通过苏木精-伊红（HE）染色、BCIP／NBT Kit碱性磷酸酶（ALP）染色、Von Kossa法钙结节染色和四甲基偶氮唑盐（MTT）微量酶反应比色法对培养细胞进行生物学鉴定。结果发现，分离得到的细胞92％为存活细胞，差速贴壁培养后可筛选得到高纯度的成骨细胞，原代培养8d后可形成单层细胞，传代培养6～7d后可形成单层细胞。这些细胞有ALP活性，并具有体外钙化能力。结果表明，本研究建立的小鼠成骨细胞分离培养与鉴定方法是可行的。

SiGe合金综述:最新的研究进展及热电性能优化策略

硅锗(SiGe)合金作为代表性中高温热电材料,在太空探测航天器的辅助电源上,已经获得了较为广泛的应用。SiGe合金具备结构稳定、元素丰富、无毒、耐高温、易于工业集成等显著优势,但较低的热电性能限制了SiGe合金的实际应用与推广。基于此,本文综述了SiGe基热电材料在电、热两方面的协同优化策略,以及相关最新研究进展。在电学方面,揭示了调制掺杂、能量过滤机制等优化策略对提高SiGe合金的功率因子的重要性;在热学方面,详细回顾了降低SiGe合金晶格热导率的诸多策略,包括纳米结构化、SiGe-金属硅化物/硅化物复合以及SiGe-氧化物复合策略,并比较了不同优化策略对晶格热导率的降低效果。通过电热输运参数的协同优化,p型和n型SiGe基热电材料的zT值分别达到了1.81(1100K)和1.7(1173K),为当前文献报道的最高值。本文对于SiGe块体材料的热电性能的进一步优化提供了一定的参考。