精密材料工程助力实现3D NAND结构推动半导体行业新发展

1开发3D NAND结构 由于2D（x-y dimension）半导体元件的尺寸已经接近极限,3D（z dimension）半导体能够经由精密材料工程进一步实现小型化。3D技术有望为企业节约成本,因为它能够使元件实现更高的位密度,这正是对半导体内存提出的基本要求之一。

3D NAND结构的纳米芯片技术

3D垂直结构为降低制造成本提供了一条有效途径,同时亦不用依赖极远紫外光刻(EUV)技术。3D垂直结构对制造过程(新材料属性)和设备(精确到原子层控制)提出了严格的要求,一旦攻克这些技术难关,相信3D垂直结构的应用指日可待。

应对传统摩尔定律微缩挑战需要芯片布线和集成的新方法

从计算机行业的早期开始,芯片设计人员就对晶体管数量的需求永无止境。英特尔于1971年推出了具有2300个晶体管的4004微处理器,激发了微处理器革命;到了今天,主流CPU已有数百亿的晶体管。在过去多年的发展中,技术的变革在于——如何将更高的晶体管预算转化为更好的芯片和系统。在2000年代初期的丹纳德微缩时代,缩小的晶体管推动了芯片功率(Power)、性能(Performance)和面积成本(Area-cost)即PPAC的同步改进。设计人员可以提高单核CPU的运行速度,以加速现有软件应用程序的性能,同时保持合理的功耗和热量。当无法在不产生过多热量的情况下将单核芯片推向更高速度时,丹纳德微缩就结束了。而导致的结果就是——功率和频率改进也都停止了。